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採用 TO-247 的 TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET
Transphorm 的 TP90H050WS 結合最新的高電壓 GaN HEMT 和低電壓矽 MOSFET 技術
Transphorm 的第二款 900 V GaN FET「TP90H050WS」提供典型的 50 mΩ 導通電阻和 1 kV 暫態尖波額定值。該元件符合 JEDEC 認證，並採用耐溫度變化的 TO-247 封裝。使用 TP90H050WS 的電源系統在具有無橋圖騰柱功率因數校正 (PFC) 的典型半橋配置中，可以達到 99% 以上的效率，同時產生高達 10 kW 的功率。它適用於高電壓電源應用，例如光電逆變器、電池充電、不斷電電源供應器、照明、儲能和三相電源系統。
特點
- 符合 JEDEC 認證 GaN 技術
- 動態 RDS(on)eff 生產測試
- 耐用的設計，以下可證
- 固有的使用壽命測試
- 寬廣的閘極安全餘裕
- 暫態過壓能力
- 超低 QRR
- 降低的交叉損耗
- 封裝符合 RoHS 指令且不含鹵素
優點
- 實現 AC/DC 無橋圖騰柱 PFC 設計
- 提升功率密度
- 縮減系統尺寸與重量
- 降低整體系統成本
- 在硬切換和軟切換電路中均達到更高的效率
- 容易使用常用的閘極驅動器驅動
- GSD 引腳配置能提升高速設計
TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET in TO-247
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | FET 特點 | 功率耗散 (最大值) | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP90H050WS | GANFET N-CH 900V 34A TO247-3 | 980 pF @ 600 V | - | 119W (Tc) | 0 - 即時供貨 | $83.65 | 查看詳情 |
發佈日期： 2020-07-20
中國香港