MASTERGAN1 高功率密度半橋

STMicroelectronics 的高功率密度半橋高電壓驅動器包含兩個 650 V 增強模式 GaN HEMT

STMicroelectronics MASTERGAN1 高功率密度半橋的圖片STMicroelectronics 的 MASTERGAN1 是世界第一款採用 GaN HEMT 系統級封裝 (SiP) 的 600 V 半橋驅動器,也是 MASTERGAN 平台的第一款元件。MASTERGAN1 十分小巧,可以實現高功率密度電源,甚至比基於 MOSFET 開關的電源小四倍,這要歸功於 GaN 更高的切換頻率,以及驅動器和兩個 GaN 開關在同一封裝中的高度整合。本產品也提供穩健性。離線驅動器已針對 GaN HEMT 進行最佳化,可實現快速、有效和安全的驅動,並簡化佈局。管理離散的 GaN 開關著實不容易,但嵌入式驅動器可管理 GaN 開關,以簡化電源設計。

特點
  • 整合半橋驅動器和 GaN 電晶體的功率 SiP
  • 降低物料清單成本
  • 高效率
  • 穩固
  • 簡化電路板佈局
  • 3.3 V 至 20 V 相容輸入
  • 輸入引腳張力與寬廣電壓範圍相容,不受元件 VCC 的影響
  • 聯鎖功能
  • 自動管理聯鎖情況
應用
  • 切換式電源供應器
  • 充電器與配接器
  • 高電壓 PFC
  • DC/DC 和 DC/AC 轉換器
  • UPS 系統
  • 太陽能

MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge

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發佈日期: 2020-09-30