SCT2H12NZ 閘極驅動器電路

ROHM 的 SCT2H12NZ 為工業設備的輔助電源供應器提供其所需的高崩潰電壓。相較於傳統矽晶 MOSFET，傳導損耗降低 8 倍，因此能達到更高的能效。

為工業設備輔助電源供應器經過最佳化

相較於工業設備輔助電源供應器中使用的 1500 V 矽晶 MOSFET，SCT2H12NZ 提供更高崩潰電壓 (1700 V)，並具有 8 倍更低的導通電阻 (1.15 Ω)。此外，小型 TO-3PFM 封裝能維持工業設備要求的沿面距離 (沿著絕緣材料表面量測的距離)。ROHM 即將推出表面黏著型 (TO268-2L)，亦提供足夠的沿面距離。

搭配 ROHM 的專用 IC，可提升效率

將此最新 SiC MOSFET 結合 ROHM 專為 SiC MOSFET 驅動設計的 AC/DC 轉換器控制 IC (BD7682FJ-LB)，便可達到最高效能，並提升效率高達 6%。同時會降低熱生成，減少散熱措施，並且能使用更小的元件。

3.75k 隔離

藉由加入 BM61M41RFV 或 BM61S40RFV，使用者可以得到隔離電壓為 3750 V_RMS、I/O 延遲時間為 65 ns、最小輸入脈衝寬度為 60 ns 的閘極驅動器。本產品具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能和米勒箝位功能。