內建 SiC 二極體的 RGWxx65C 系列混合式 IGBT

RGWxx65C 系列在 IGBT 的回授塊中使用 ROHM 的低損耗 SiC 肖特基能障二極體 (SBD) 作為飛輪二極體，幾乎沒有恢復能量，因此二極體的切換損耗微乎其微。此外，由於在開啟模式下恢復電流不必由 IGBT 處理，因此比起傳統 IGBT 中使用的矽快速回復二極體 (FRD)，此 IGBT 的開啟損耗大幅降低。用於車輛充電器時，這兩種效應共同實現比傳統 IGBT 降低 67% 的損耗、比超接面 MOSFET (SJ MOSFET) 降低 24% 的損耗。此效果可提供良好的成本效益，同時有助於降低工業和汽車應用中的功耗。

特點

與傳統 IGBT 相比，損耗降低 67%，為熱門的汽車電氣控制元件和工業設備提供最佳成本效益。