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PE423211 UltraCMOS® SPDT 開關

pSemi SPDT 開關具有低功耗、低插入損耗、高連接埠間隔離、快速切換速度、高功率處理能力

pSemi PE423211 UltraCMOS® SPDT 開關的圖片pSemi PE423211 HaRP™ 技術增強型 SPDT RF 開關設計用於高效能 ISM、WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax、Bluetooth®、超廣頻 (UWB) 應用，支援高達 10.6 GHz 的頻寬。此開關具有低功耗、低插入損耗、高連接埠間隔離、快速切換速度、高功率處理能力，全部採用緊湊的 6 引線 1.6 mm × 1.6 mm DFN 封裝。PE423211 元件還具有強大的 ESD 與溫度效能。PE423211 採用 pSemi UltraCMOS 製程製造，這是一項專利的絕緣層覆矽 (SOI) 技術。

特點
  • 通過 AEC-Q100 Grade 2 認證
  • 寬頻頻率支援：0.3 GHz 至 10.6 GHz
  • 90 nA 的低功耗
  • 低插入損耗
  • 高隔離能力
  • P1dB = +24 dBm
  • 工作溫度範圍：-40°C 至 +105°C
  • ESD 效能：2,000 V HBM；500 V CDM
  • 封裝：6 引線 1.6 mm × 1.6 mm DFN
應用
  • ISM 頻段
  • WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax
  • Bluetooth
  • UWB
  • 遙控鎖
  • 遠距通訊系統
  • 車用資訊娛樂
  • 車內監測系統 (ICMS)
  • 一般用途切換

PE423211 UltraCMOS® SPDT Switch

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發佈日期： 2025-08-14