能源基礎設施解決方案

onsemi 的 NCD570x 絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 閘極驅動器是大電流、高效能元件，適合高功率應用，例如太陽能逆變器、馬達控制以及不斷電系統 (UPS)。這些閘極驅動器經過高度整合，省去許多外部元件並整合保護功能，因此可提供高成本效益的解決方案。

電流消耗量監測能夠提供關鍵資訊，有助於達到系統的安全與診斷功能。除了具有成本效益的獨立運算放大器外，onsemi 提供的電流感測放大器還整合了外部電阻以提供準確度更高、體積更小的解決方案。

onsemi 的 650 V 和 1200 V 絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 採用可靠且具成本效益的超場截止溝槽結構，能在嚴苛的切換應用中達到優異的效能，並且提供低導通電壓和最少的切換損耗。

onsemi 650 V SuperFET III 系列提供專為高功率密度而設計的高性能超級接面型 MOSFET。SuperFET III 技術具有同等級最佳的 FOM 及 Eoss，相較於先前的業界領先技術，能在相同封裝大小下，將 RDS(ON) 降低超過 40%。如此一來，產品設計師就能善用更小的封裝尺寸，或以相同的覆蓋區提高功率。SuperFET III 具有完備的本體二極體以及良好平衡的切換特性。

這些 MOSFET 是使用 onsemi 先進的 PowerTrench® 製程生產，採用屏蔽式閘極技術。此類元件結合矽技術與 Dual Cool 封裝技術的進展，提供目前最低的 rDS(on)，同時維持優異的切換效能，並具有極低接面對環境熱阻。

電源整合模組利用 onsemi 在車用點火 IGBT 與智慧型電源模組 (IPM) 發展上廣泛的經驗以及封裝的專業知識，提供完全符合業界最高標準的電源解決方案。而且，onsemi 的模組解決方案為客戶提供一整套矽與封裝的供應鏈，確保高品質與成本效益。

NXH80B120L2Q0SG 電源模組含有一個雙升壓級，由兩個 40 A/1200 V IGBT、兩個 15 A/1200 V SiC 二極體，以及兩個用於 IGBT 的 25 A/1600 V 反向並聯二極體所組成。另外包含兩個用於限制湧入電流的 25 A/1600 V 旁路整流器。亦含有一個板載熱敏電阻。

碳化矽 (SiC) 肖特基二極體使用一項全新的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。碳化矽無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性、優異的熱效能，因此能成爲新一代的功率半導體。系統優點包括最高效率、更快的工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

onsemi 的高電壓整流器產品組合包括適用於各種應用同級最佳的解決方案，可為客戶提供滿足其設計要求的靈活性。