MRFX 系列 RF 電晶體

NXP 的 MRFX 系列 RF 電晶體額定值為 1,800 W (連續波)。這些產品以 NXP 內部實驗室開發的 65 V LDMOS 技術為基礎，能提供高效能且容易使用。採用 65 V 汲極電壓，可提高輸出阻抗值，並可確保達到更高的崩潰電壓。NXP 的 1250 W、1500 W 和 1800 W 電晶體具備立即可用相容性，能讓客戶針對多種最終產品打造單一可擴充平台。隨著 RF 越來越普遍用於多種工業應用，NXP 為 RF 電源工程師提供方法，縮短設計週期時間。

NXP 亦提供 1800 W 塑膠封裝的 MRFX1K80N。此封裝可達到更高 RF 輸出功率和 30% 更低的熱電阻。此元件在引腳上皆相容於陶瓷 MRFX1K80H。

供貨能力和開發支援

MRFX1K80H 電晶體採用氣腔型陶瓷封裝，目前正在打樣，預計在 2017 年 8 月開始生產。目前可供應 27 MHz 和 87.5 MHz 至 108 MHz 應用的參考電路。隨著 MRFX1K80H 的推出，NXP 將提供包覆成型塑膠款式 MRFX1K80N，可降低 30% 的熱阻，進一步提升可靠性和使用簡便性。

特點

• 更高功率 - 更高的電壓可達到更高的輸出功率，有助於減少要結合的電晶體數量、簡化功率放大器的複雜性，並且縮減尺寸。
• 加快開發 - 電壓更高，就可提高輸出功率，同時保有合理的輸出阻抗值。如此即可簡化 50 Ω 匹配，在廣頻應用中特別有效。更快匹配能大幅加速開發時間。
• 設計重複使用 - 此阻抗值優勢也可確保在引腳上與現有的 50 V LDMOS 電晶體相容，因此能讓 RF 設計人員重複使用既有的印刷電路板 (PCB) 設計，讓產品更快上市。
• 可管理電流位準 - 更高的電壓能降低系統的電流、限制 DC 電源供應器的應力，並且減少磁性輻射。
• 寬廣的安全餘裕 - NXP 65 V LDMOS 技術的崩潰電壓為 182 V，可提升可靠度，並達到更高效率架構。