BLL8Hxx 系列 RF 功率電晶體

NXP 推出 BLL8Hxx 系列 RF 功率電晶體，採用其第八代 50 V LDMOS 技術，用於 L 頻帶雷達應用。 BLL8Hxx 系列提供優異的寬頻操作（1.2 至 1.4 GHz），輸出功率位準為 25、130、250、500 W（P、1 dB）。 BLL8Hxx 系列具有整合式雙側 ESD、內部匹配、提升的耐用度、高效率（典型 50%）和優異的熱穩定性。

• BLL8H0514-25：25 W LDMOS 電晶體，適合 0.5 GHz 至 1.4 GHz 範圍的脈衝應用
• BLL8H0514L(S)-130：130 W LDMOS 電晶體，適合 0.5 GHz 至 1.4 GHz 範圍的脈衝應用
• BLL8H1214LS-500：500 W LDMOS 功率電晶體，適合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 範圍的 L 頻帶雷達應用
• BLL8H1214L(S)-250：250 W LDMOS 功率電晶體，適合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 範圍的 L 頻帶雷達應用

特點和優點

• 容易的功率控制
• 整合式雙側 ESD 防護
• 脈衝形式具備高彈性
• 優異的耐用性
• 高效率
• 優異的熱穩定性
• 專為寬頻操作（1.2 GHz 至 1.4 GHz）所設計
• 內部匹配達到使用簡便
• 符合 2002/95/EC 有害物質限制指令 (RoHS)

應用

• 適用於 1.2 GHz 至 1.4 GHz 頻率範圍雷達應用的 L 頻帶功率放大器