SICU02120G4J-TP 1200 V 2 A 碳化矽 (SiC) 肖特基能障整流器

MCC SICU02120G4J-TP 1200 V 2 A SiC 肖特基二極體是高效率、高速和高溫功率轉換系統的理想選擇

MCC SICU02120G4J-TP 碳化矽肖特基能障整流器的圖片Micro Commercial Components SICU02120G4J-TP 高電壓型 2 A SiC 肖特基能障整流器採用業界標準的 DPAK 封裝。利用 SiC 優異的材料特性,這款二極體消除了逆向回復電荷 (Qrr),這是傳統矽晶二極體切換損耗的主要來源。它是專為高電壓、高頻功率轉換系統中的高效率效能而設計,提供優異的可靠度、更高的工作溫度和更低的電磁干擾。

特點
  • 零逆向回復電流消除了逆向回復損耗,提高效率
  • 採用正溫度係數設計,順向電壓 (Vf) 隨溫度升高而增大,增強自然的熱穩定度,並便於並聯運行,以實現更高的電流能力。
  • 提供超快的切換速度,使其成為高頻電路的理想選擇。
  • 能夠在更高的接面溫度 (Tj max = +175°C) 下工作,可提高系統耐用性並降低冷卻需求。
  • DPAK 封裝提供通用的覆蓋區,便於導入設計,而其裸露的散熱墊片則提供良好的功率處理能力。
  • 符合 RoHS 指令,且不含鹵素,符合全球性環境標準和綠色製造倡議
應用
  • 功率因數校正 (PFC)
  • SMPS
  • 太陽能逆變器
  • 感應加熱和 UPS 系統

SICU02120G4J-TP 1200 V 2 A Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Rectifier

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SIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER,DSICU02120G4J-TPSIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER,D2500 - 即時供貨$8.65查看詳情
發佈日期: 2025-11-18