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高性能碳化矽 (SiC) 肖特基二極體
MCC 的 SiC 二極體非常適合用於太陽能和動作控制的逆變器、UPS、Telekom 基地台、PFC 和照明
Micro Commercial Components 的高性能 SiC 肖特基二極體提供高達 +175°C 的高效率、高溫性能。這些二極體與 650 V 超接面型 MOSFET 一起構成了一個完整、具有成本效益的離散式解決方案。這些 SiC 二極體有 650 V (2 A/4 A) 和 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A) 的版本。可選用的封裝 (TO-220、TO-247 和 DPAK)、其他的電流等級和外罩現正認證中。這些 SiC 二極體的典型應用為太陽能和動作控制的逆變器、UPS、Telekom 基地台、功率因數校正 (PFC) 和照明應用。
功能
- 極低的切換損耗
- 更高的切換頻率
- 並聯式應用的正溫度係數
- 比標準的肖特基二極體效率更高
- 高達 +175°C 更高的工作溫度
- 高達 1200 V 更高的電壓
應用
- 太陽能和動作控制的逆變器
- UPS
- Telekom 基地台
- PFC 和照明應用
High-Performance Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIC05120B-BP | DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC | 895 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
|  | SIC10120PTA-BP | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247AD | 0 - 即時供貨 | $73.06 | 查看詳情 |
|  | SIC20120PTA-BP | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473 | 0 - 即時供貨 | $144.37 | 查看詳情 |
|  | SICU02120B-TP | DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK | 0 - 即時供貨 | $34.00 | 查看詳情 |
| | SICU0260B-TP | DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK | 2357 - 即時供貨 | $19.26 | 查看詳情 |
| | SICU0460B-TP | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | 2403 - 即時供貨 | $31.69 | 查看詳情 |
發佈日期： 2020-08-27
中國香港