Ultra-Junction 650 V X3 等級功率 MOSFET

IXYS 的 MOSFET 具有低的逆向復原電荷,並且能夠在高速切換期間移除所有剩餘能量

IXYS 的 Ultra-Junction X3 等級功率 MOSFET 的圖片IXYS 為一家 Littelfuse 的技術子公司,利用電荷補償原理和自行研發的製程技術開發了 N 通道 ultra junction X3 等級功率 MOSFET,這些 ultra junction MOSFET 提供了同級最佳的效能指數 (導通電阻乘以閘極電荷),也就是説最低的導通和切換損耗。它們表現出業界最低的導通電阻。憑藉低的逆向復原電荷和時間,這款本體二極體能夠在高速切換期間移除所有剩餘能量,以避免元件故障並達到高效率。這些元件具有突崩能力,並表現出卓越的 dv/dt 性能。它們具有强健的特性,可抵抗由電壓尖波和 MOSFET 結構中固有的寄生式雙極電晶體意外導通所引起的元件故障。因此,這些耐用的元件需要較少的緩衝器,並且可以用於硬切換式和軟切換式電源轉換器。

特點
  • 最低的導通電阻 RDS(ON) 和閘極電荷 Qg
  • 快速軟恢復本體二極體
  • dv/dt 耐受能力
  • 優異的突崩耐受能力
  • 國際標準封裝
應用
  • 輕型電動車的電池充電器
  • 切換式電源供應器中的同步整流
  • 馬達控制
  • DC/DC 轉換器
  • 不斷電系統
  • 電動堆高機
  • Class D 音訊放大器
  • 電信系統

Ultra Junction X3 Class Power MOSFETs

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發佈日期: 2022-04-15