DDR3 ECC 功能 SDRAM

ISSI 推出內建錯誤修正碼 (ECC) 功能的 DDR3 DRAM,能預防資料位元錯誤

ISSI 的 DDR3 ECC 功能 SDRAM 圖片Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 推出 IS46TR16640ED:1 Gigabit (1 Gbit) DDR3 ECC 功能 DRAM。 此產品具有嵌入式錯誤修正碼 (ECC),能夠偵測並即時修正位元錯誤。 此元件不需監測或干預即可使用,並可向下相容標準型 DDR3。 1 Gbit DDR3 是以 64Mbx16 形式納入 96 焊球 BGA 封裝提供,工作電壓為 1.5 V。提供兩種汽車溫度等級選項:A1 可在 -40°C 至 95°C 間操作,A2 可在 -40°C 至 105°C 之間操作。 此元件擴充 DDR3 SDRAM 產品系列以及 ISSI 豐富的 DRAM 系列。 ISSI 能針對汽車、工業和其他高可靠度市場領域的客戶,提供其應用所需的長生命週期產品支援,與其他 DRAM 產品享有同等的保證。

特點
  • 雙向差異資料選通
  • 內建錯誤修正碼 (ECC),可預防位元錯誤
  • 可編程的 CAS 延遲
  • 自動重新整理和自行重新整理模式
  • OCD(驅動器調整)
  • ODT(晶片上端接)支援
  • 均衡寫入
  • 長期支援

DDR3 SDRAM with ECC

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IC DRAM 1GBIT SSTL 96TWBGAIS46TR16640ED-15HBLA1IC DRAM 1GBIT SSTL 96TWBGADRAMSDRAM - DDR30 - 即時供貨查看詳情
IC DRAM 1GBIT SSTL 96TWBGAIS46TR16640ED-15HBLA2IC DRAM 1GBIT SSTL 96TWBGADRAMSDRAM - DDR30 - 即時供貨查看詳情
發佈日期: 2016-08-08