800 V CoolMOS™ P7 功率電晶體

Infineon 的 800 V CoolMOS P7 系列採用小型 SOT-223 封裝,具有高效能

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率電晶體圖片Infineon 的 800 V CoolMOS P7 系列結合最新的 CoolMOS P7 技術和創新的 SOT-223 封裝,帶來最佳性價比的超級接合技術搭配高成本效益的封裝解決方案。SOT-223 封裝沒有中間引腳,與 DPAK 封裝的覆蓋區完全相容,因此允許以更低的成本進行一對一的直接替換和二次採購。800 V CoolMOS P7 系列受益於其低成本和節省空間的設計,具有低功耗,與 DPAK 具有相當的熱特性。800 V P7 的 RDS(on) 為 2.4 Ω。

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率電晶體圖片 Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率電晶體圖片
特點和優點
  • 以較低的成本直接替換 DPAK
  • 節省空間的設計、低功耗
  • DPAK 相當的熱特性
  • 與類似的競爭技術相比,具有成本競爭力
  • SOT-223 可節省成本和空間 (外型更小)
 
  • 支援提升的切換頻率以減少磁性
  • SOT-223 與 CoolMOS P7 結合,可進一步降低成本,並提高效能和易用性
  • 最適合的目標應用:
    • 熱和效率
    • 簡易使用的等級
    • EMI 特性
應用    
  • 配接器
  • 充電器
 
  • 電視
  • 照明

800 V CoolMOS™ P7 Power Transistors

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2018-08-14