EPC2069 40 V、2.25 mΩ GaN FET

EPC EPC2069 是 40 V、2.25 mΩ、422 A 脈衝電流的 GaN FET，為高效能、空間受限的應用提供一款比矽 MOSFET 顯著更小、效率更高的元件。這款 GaN FET 非常適合具有嚴格的高功率密度效能要求之應用，例如 48 V 至 54 V 輸入的伺服器。較低的閘極電荷和零反向恢復損耗可實現 1 MHz 及更高頻率的高頻操作，並以極小的 10.6 mm² 覆蓋區達到高效率，實現工藝極緻的功率密度。EPC2069 可支援 48 V 至 12 V_DC/DC 解決方案，範圍從 500 W 到 2 kW，效率超過 98%。需要在一次側和二次側使用 eGaN 元件才能達到 >4,000 W/in³ 最大的功率密度。