100 V eGaN® FET 系列可促成同級最佳的 48 V DC/DC

更高效率 • 更小尺寸 • 更低成本

 

48 V = GaN:在採用 48 VIN 的所有拓撲中,達到最高效率的是使用 GaN 元件。

零件編號 配置 VDS 最大 RDS(ON) (mΩ) (VGS=5 V) QG 典型值 (nC) QGS 典型值 (nC) QGD 典型值 (nC) QOSS 典型值 (nC) 最大 峰值脈衝 ID(A) (s5°C、Tpulse = 300 µs) 封裝 (mm) 半橋開發板 48 V 公版設計 How2AppNote
EPC2053 單通道 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093 EPC9138 48 V - 6 V、900 W LLC
48 V - 12 V、900 W LLC
EPC2045 單通道 100 7 5.9 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078 EPC9141 48 V 對 12 V、60 A 多相
EPC9205 EPC9130 48 V 對 5 至 12 V DC/DC
EPC2052 單通道 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092    
EPC2051 單通道 100 25 1.7 0.6 0.3 7.3 37 BGA 0.85 x 1.3 EPC9091    
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