使用可調式低漏電 LDO 延長穿戴式裝置設計的電池續航力

作者:Steven Keeping

資料提供者:DigiKey 北美編輯群

切換式穩壓器以高效率而著稱,因而成為穿戴式裝置電源供應器的主流設計選項,有助於延長電池續航力。但是,這種穩壓器佔用許多空間,費用較高,不僅會產生電氣雜訊,而且導入設計也相當複雜。

相較之下,線性穩壓器可提供無漣波的輸出,設計簡單又小巧,而且價格親民。但當負載範圍較寬時,線性穩壓器的效率通常不如切換式穩壓器,因此會影響電池續航力。不過,只要使用低壓降 (LDO) 線性穩壓器 (通常簡稱為「LDO」) 並將裝置輸出最佳化,確保其在最高效的區域內工作,差不多就可媲美切換式穩壓器的整體效率。

然而,還是有個關鍵問題有待解決。依照設計,穿戴式裝置會長期處於低功率待機模式,以維持電池續航力。即使處於這些模式,LDO 也會消耗可觀的內部電流;此電流消耗量雖小,但仍會縮短最終產品的電池續航力。

新一代的 LDO 解決方案解決了這個問題。利用這些元件,工程師可在穿戴式裝置處於低功率模式時調節輸出電流和壓降電壓,將內部功耗降到最低。

本文將說明如何挑選 LDO 為穿戴式裝置供電,然後說明如何使用新一代 LDO,在不影響使用者體驗的情況下讓效率達到最高。

選擇 LDO 還是切換式穩壓器?

在設計穿戴式裝置電源供應器的過程中,穩壓器的選擇是一項關鍵的決定,工程師須在切換式穩壓器和 LDO 之間作出抉擇。然而,兩者各有優缺點,因此要挑選適合特定應用的產品並不容易;請參閱瞭解線性穩壓器的優缺點

穿戴式裝置帶來諸多設計難題,會讓挑選過程變得更加困難:

  • 要使用小型電池,協助達到小巧的設計
  • 需要耐久的電池續航力
  • 需要穩定的電源,以供電給功率敏感型電子裝置
  • 需要從睡眠狀態中快速喚醒,以增進使用者體驗

高效率的切換式穩壓器可以滿足電池續航力的需求,但主要缺點在於穩壓器的高頻操作會引起較大的電磁干擾 (EMI),進而影響到穿戴式裝置敏感的微控制器和收發器。

要解決此問題,可使用切換式穩壓器轉換電壓,並且以串聯方式添加 LDO,即可將元件的輸出電壓和電流漣波降至最低。但是,這種拓撲會增加複雜度、成本,並且加大電源供應器的尺寸。

另一種方案則是使用 LDO 供應穩定的電壓,然後選擇內部功耗較低的元件,將穩壓器輸入和輸出電壓之間的差異將至最低,以便達到最高效率。

計算 LDO 的效率

LDO 的效率取決於接地電流 (IGND) 以及輸入和輸出電壓 (VIN 和 VOUT)。效率的計算公式如下:

效率 = IOUT/(IOUT + IGND) × VOUT/VIN × 100%

IGND 是運作 LDO 內部電路所需的電流 (即輸入電流和輸出電流之差)。此電流的關鍵部分是 LDO 的靜態電流 (IQ),即外部負載電流趨近於零時,供電給 LDO 內部電路所需的電流。靜態電流包括誤差放大器、輸出分壓器,以及過電流和溫度感測電路等的工作電流。

由於會影響效率,因此 IGND 和 IQ 是 LDO 規格書中的重要規格。舉例來說,有個產品就很適合用來供電給穿戴式裝置,如 MicrochipMCP1811BT-028/OT LDO,其 IGND = 180 µA (IOUT = 300 mA 時),IQ = 250 nA。IQ 會隨著 IOUT 的升高而增加,因此 IGND 也會隨之增加。STMicroelectronicsLDL112 可清楚地顯示出這種關係 (圖 1)。

STMicroelectronics LDL112 LDO 的負載電流和靜態電流圖形圖 1:此圖清楚顯示 STMicroelectronics LDL112 LDO 的負載電流與靜態電流之間的關係。(圖片來源:STMicroelectronics)

對於 LDO 來說,若能滿足穿戴式裝置的典型負載要求,即資料的記錄和傳輸 (如幾百毫安培),相較於 IOUT,IGND 可謂微不足道,因此判定效率的關鍵因素在於輸入和輸出之間的電壓差。

例如,在 VIN 為 5 V 和 VOUT 為 3.3 V 時,LDO 的效率為 66%;但是,當供電降低到 3.6 V 時,效率則會上升至 91.7%。LDO 的功耗可透過 P = (VIN - VOUT) x IOUT 計算得出。

但是,礙於臨界值的關係,將輸入和輸出電壓之間的差異降至最低來提高 LDO 效率的方法也有其極限,若低於臨界值,元件便無法正確調節輸出電壓。這個最小臨界值稱為壓降電壓 (VDROPOUT)。以現今的元件為例,如 STMicroelectronics 的 LDL112,在 3.3 V、1 A 的輸出下,VDROPOUT 的測量值為 350 mV。

設計人員應注意,VDROPOUT 是 LDO 無法再調節電源電壓的臨界點。若要達到最高規格,LDO 通常需要額外的「餘裕電壓」,亦即通常會將 VDROPOUT 增加 250 至 500 mV,但某些 LDO 的增加量可高達 1.5 V。在判定輸入和輸出電壓之間的電壓差時,必須考量 VDROPOUT 與餘裕電壓。

如要進一步瞭解如何在電池供電裝置中設計導入 LDO,請參閱利用進階 LDO 因應 IoT 無線感測器的電源供應器設計挑戰

LDO 效能最佳化

如上所述,對於功率受限的設計,將 LDO 兩端的電壓差降至最低,在工程上是很棒的做法,其原因是節省的電力可大幅延長電池續航力。不過,在功率預算嚴格受限的情況下,還需要更多的努力。

其中一個需要關注的層面就是:當穿戴式裝置處於低功率模式或「睡眠」模式時 (如未使用微控制器、收發器或 GPS 功能時) 所發生的功率耗用。雖然在此模式下,最終產品的電流消耗量非常低,但 LDO 必須保持作用才能在使用者按下操作按鈕或啟動觸控螢幕時,將延遲時間降至最低。

當穿戴式裝置處於睡眠狀態時,IOUT 相當小;因此 IGND 對效率的影響會比正常操作期間更大。由於元件的負載較低,因此實際的功耗並不大;然而,耗電是持續且長時間的情況,,還是會對電池續航力造成重大影響。有個良好的設計做法是選擇符合規格,同時能提供最低內部電流損耗的 LDO,以便在 IOUT 較低時,將損耗降至最低。

不過現代的 LDO 更加優秀,大多提供選項,可將選定的引腳拉低電位,即可讓元件進入關閉模式。如此即可將元件的負載完全斷開,有效地將 IOUT 限制為 IGND

例如,Microchip 的 MCP1811A 包含一個關閉 (「SHDN」) 輸入,可用來關閉和開啟 LDO 輸出電壓 (圖 2)。此元件的輸入電壓介於 1.8 至 5.5 V,並提供九種固定輸出選項,輸出介於 1 至 4 V。此 LDO 的 VDROPOUT 為 400 mV,最大輸出電流高達 150 mA,其 IQ 為 250 nA,IGND 為 80 µA (在 IOUT = 150 mA、VIN = 5 V 且 VOUT = 4 V 下)。

Microchip 的 MCP1811A 具有關閉模式示意圖圖 2:Microchip 的 MCP1811A 具有關閉模式。SHDN 引腳變為高電位並供應穩壓電壓的反應時間為 600 至 1400 µs。(圖片來源:Microchip Technology)

當 SHDN 輸入為高電位時 (最少為 VIN 的 70%),LDO 輸出電壓即會啟用,且元件會供應穩壓電壓。當 SHDN 輸入為低電位時 (最多為 VIN 的 20%),穩壓電壓的供應會關閉,而 LDO 會進入低電流的關閉狀態,此時 IQ 通常為 10 nA 且 IGND 約為 2 µA。

能讓 MCP1181A 進入關閉模式的好處在於可顯著節省電力,但缺點是啟動時間會對系統反應造成影響。為確保 LDO 不會因 SHDN 引腳上的系統雜訊尖波而開啟,造成電池電量浪費,關斷電路會在 SHDN 輸入的正緣設置 400 μs 的時間延遲,然後再開啟穩壓器。從運作的角度來看,這是不錯的做法,但會對反應造成影響。在經過預設的延遲時間後,如果 SHDN 輸入保持在高電位,穩壓器會隨著輸出從 0 V 升至最終穩壓值,開始對負載電容器充電。因此,從 SHDN 輸入開啟到輸出供應穩壓電壓的總時間,就等於內建的 400 μs 延遲時間加上輸出電壓上升時間。上升時間取決於 VOUT,變動範圍從 200 到 1000 μs 不等。

同樣地,ON SemiconductorNCP171 雙模式 XDFN4 封裝 LDO,可以將 ENA 引腳驅動為低電位 (低於 0.4 V) 而進入關閉模式。此 LDO 的輸入範圍為 1.7 至 5.5 V,固定輸出電壓範圍為 0.6 至 3.3 V,且 VDROPOUT 為 110 mV。不過,NCP171 提供更為複雜的系統來延長電池續航力,從低功率模式切換到正常操作所需的穩壓輸出時,有助於改善反應。

在主動模式下,此 LDO 能夠供應高達 80 mA 的電流,而在低功率模式下,此 LDO 的調節輸出電壓並不會切斷,而是將 IOUT 限制為最大 5 mA。由於穩壓調節所用的是 LDO 不同的部分,所以 IGND 會大幅降低,電池續航力得到延長。低功率模式和主動模式可透過 LDO 的 ECO 引腳來選擇 (圖 3)。

ON Semiconductor 的 NCP171 示意圖圖 3:ON Semiconductor 的 NCP171 可以透過 ECO 引腳,從主動模式切至低功率模式。在低功率模式下,IOUT 會限制在最大 5 mA,而 IGND 則會大幅降低。(圖片來源:ON Semiconductor)

當 ECO 引腳驅向低電位時 (至接地),LDO 會切換到低功率模式。IQ 會從 55 µA 降至 50 nA。對 IGND 的影響同樣顯著:在主動模式下,IGND = 420 µA (IOUT = 80 mA),而在低功率模式下,IGND = 2.5 µA (IOUT = 5 mA)。該模式的功率耗散僅略高於元件處於關閉模式下的功率耗散。以 50、100、150 和 200 mV 的內部編程偏移值之一降低標稱主動模式輸出電壓,即可進一步降低低功率模式下的功耗。

低功率模式的主要優點是,對正常穩壓電壓需求的反應時間。當 ECO 引腳拉為高電位 (等於 VOUT) 時,可將元件切換至主動模式,並在不到 100 µs 的時間內將 NCP171 LDO 恢復至穩壓電壓,且最大 IOUT 高達 80 mA (圖 4)。

ON Semiconductor 的 NCP171 從低功率模式切換至主動模式示意圖圖 4:將 NCP171 從低功率模式切換至主動模式,可在不到 100 µs 的時間內恢復穩壓電壓。(圖片來源:ON Semiconductor)

啟動時,無論 ECO 引腳狀態為何,NCP171 會預設為主動模式,因此可以快速達到目標輸出電壓並保持穩定。這種強制主動模式的持續時間通常為 35 ms,可確保對輸出電容快速充電及 IOUT 快速上升,從而滿足負載需求。

在低功率模式下工作時,也有一些缺點:電源拒斥比 (PSRR) 較低且電氣雜訊會略為增加 (圖 5);電源拒斥比可衡量 LDO 拒絕輸入電壓尖波的能力。

ON Semiconductor 的 NCP171 在低功率模式與主動模式下的對照圖圖 5:NCP171 在低功率模式下的電源拒斥比,通常會低於主動模式下的比值。(圖片來源:ON Semiconductor)

NCP171 LDO 隨附 STR-NCP171-EVK 評估套件 (EVK)。此 EVK 可搭載 ON Semiconductor 的 Strata Developer Studio 整合開發環境 (IDE) 在 PC 上使用。此 EVK 透過 USB 纜線連接到 IDE 後,即可用於試驗該 LDO 的功能,如啟用/停用 LDO,以及在主動模式和低功率模式之間進行切換等。

此 EVK 和 IDE 還能讓工程師配置和監控該 LDO 的其他作業參數,包括輸入和輸出電壓、功率耗散及元件溫度。

結論

審慎挑選 LDO 可簡化穿戴式裝置的電源供應器設計,同時確保穩定的電壓和電流。選擇具有低接地電流的 LDO,並將其輸入和輸出電壓的電壓差減至最小,就可讓設計人員達到接近切換式穩壓器的效率。

新一代 LDO 提供多種工作模式,可透過專屬引腳進行挑選,此設計可在穿戴式裝置長時間處於睡眠狀態時限制功耗。選用任何新一代 LDO,即可進一步改善穿戴式裝置的電池續航力。矽產品供應商通常會在 LDO 中隨附評估工具,讓設計人員用最佳設定對元件進行實驗,以便發揮裝置的最大電池續航力。

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關於作者

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Steven Keeping

Steven Keeping 是 DigiKey 的文章作者之一。他在英國伯恩茅斯大學取得應用物理系的英國國家高級文憑,且在英國布萊頓大學取得工程榮譽學士學位,接著便在 Eurotherm 與 BOC 擔任電子製造工程師長達七年。過去二十年來,Steven 陸續擔任科技記者、編輯與出版人。他在 2001 年移居澳洲雪梨,全年享受公路與山路單車運動,同時也擔任 Australian Electronics Engineering 的編輯。Steven 在 2006 年成為獨立記者,專精的領域包括 RF、LED 與電源管理。

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