電流感測的電阻溫度係數

溫度與結構如何影響電阻穩定性

作者:Vishay Intertechnology, Inc.

本文將探討以下主題。

  1. 什麼是 TCR?
  2. 如何判定 TCR?
  3. 結構如何影響 TCR 效能?
  4. TCR 的應用
  5. 如何比較規格書

因果關係

電阻是多種因素的綜合結果,會導致電子在金屬或金屬合金晶格中的活動偏離理想路徑。當電子遇到晶格內的瑕疵或缺陷時就會造成漫射。這會導致行進路徑拉長,進而降低電阻。這些瑕疵與缺陷的導因包括:

  • 熱能引起的晶格內活動
  • 晶格內其他不同的原子,如雜質
  • 晶格有部分或完全缺少 (非晶形結構)
  • 晶粒邊界的無序區
  • 晶格中的晶體與間隙瑕疵

電阻溫度係數 (TCR,有時寫成 RTC),是上述不完美的熱能要素特性之一。此變阻變化的效果可隨著溫度返回基準溫度而逆轉,但前提是晶粒結構並未受到極端脈衝/過載事件產生的高溫而改變。若以 Power Metal Strip®Power Metal Plate™ 的產品為例,則是指導致電阻合金超過 350°C 的溫度。

溫度導致的電阻變化會以 ppm/°C 為單位測量,不同的材料會有相當大的差異。舉例來說,錳銅合金的 TCR < 20 ppm/°C (在 20°C 至 60°C 下),端子所用的銅則約為 3900 ppm/°C。有另一個方式或許能更輕鬆判讀 ppm/°C,那就是 3900 ppm/°C 等於 0.39 %/°C。這看起來是微小的數字,但在考量溫升 100°C 下所產生的電阻值變化後,或許會改觀。若是黃銅,這會導致電阻值產生 39% 的變化。

有個方法能將 TCR 效應視覺化呈現,就是考量材料在溫度變化下的膨脹率 (圖 1)。以兩個不同材質的長條 A 與 B 為例,且兩者長度皆為 100 m。長條 A 的長度會在 +500 ppm/°C 時有所改變,長條 B 則會在 +20 ppm/°C 時改變。溫度變化 145°C 會導致長條 A 的長度增加 7.25 m,長條 B 的長度則僅會增加 0.29 m。以下比例圖 (1/20) 以視覺化方式展示此差異。長條 A 在長度上有相當明顯的改變,長條 B 則無顯著改變。

溫度增加時的材料膨脹率示意圖圖 1:有個方法能將 TCR 效應視覺化呈現,就是在溫度增加時觀察材料的膨脹率。(圖片來源: Vishay Dale)

此現象也適用於電阻,當 TCR 較低時,可在溫度變化下取得更穩定的測量值,而溫度變化的原因可能是來自施加的功率 (導致電阻元件溫度上升) 或環境溫度。

如何測量 TCR

根據 MIL-STD-202 標準的 304 測試方法,TCR 的效能是指在 25°C 基準溫度下的電阻值變化。溫度有所改變,也允許受測裝置在達到平衡後,再測量電阻值。此差異即可用來判定 TCR。針對 Power Metal Strip WSL 機型,TCR 會先在 -65°C 低溫測量,然後在 +170°C 測量。方程式如下。通常電阻值增加且溫度增加,就會產生正 TCR。也請注意,自體發熱下會因為 TCR 而導致電阻值改變。

電阻值 - 溫度係數 (%):

方程式 1

電阻值 - 溫度係數 (ppm):

方程式 2

說明:

R1 = 基準溫度下的電阻值

R2 = 工作溫度下的電阻值

t1 = 基準溫度 (25°C)

t2 = 工作溫度

工作溫度 (t2) 通常是依據應用而定。舉例來說,儀器用的溫度範圍通常介於 0°C 至 60°C,軍事應用則通常介於 -55°C 至 125°C。Power Metal Strip WSL 系列提供的 TCR 適用於 -65°C 至 +170°C 的工作溫度範圍,WSLT 系列則適用於高達 275°C 的延伸溫度。

以下表 1 列出本文中相關產品所用的一些電阻材料 TCR。

多種電阻元件材料的 TCR (ppm/°C)
溫度範圍 -55°C 至 +25°C 0°C 至 +25°C +25°C 至 +60°C +25°C 至 +125°C
Manganin +50 +10 -5 -80
Zeranin +20 ±2.5 ±5.0 +10
Evanohm +5.0 +2.5 -2.5 -5.0
箔片 -1.0 -0.3 +0.3 +1.0
薄膜 -10 -5.0 +5.0 +10
厚膜 -100 -25 +50 +100

表 1:多種電阻元件材料的 TCR (ppm/°C)。(圖片來源: Vishay Dale)

圖 2 透過從 25°C 開始增加溫度下的電阻值百分比變化,比較不同的 TCR 位準。

以電阻值隨溫度改變的百分比來呈現的不同 TCR 位準比較圖圖 2:以電阻值隨溫度改變的百分比來比較不同的 TCR 位準。(圖片來源:Vishay Dale)

以下方程式可計算指定 TCR 下的電阻值最大變化。

方程式 3

說明:

R = 最終電阻值

R0 = 初始電阻值

α = TCR

T = 最終溫度

T0 = 初始溫度

Vishay 有提供線上版的 TCR 計算器,網址為:https://www.vishay.com/resistors/change-resistance-due-to-rtc-calculator/

結構如何影響 TCR

相較於傳統的全金屬厚膜電流感測電阻,Power Metal Strip 與 Power Metal Plate 系列提供優異的 TCR 效能。厚膜電流感測電阻採用的材料主要是銀,端子則為銀與黃銅。銀與黃銅都有相似的大 TCR 效能值。

Vishay 的 Power Metal Strip 電阻與一般金屬片與厚膜電阻的比較圖圖 3:Vishay 的 Power Metal Strip 電阻與一般金屬片與厚膜電阻的比較。(圖片來源:Vishay Dale)

Power Metal Strip 電阻系列採用實心黃銅端子 (圖 4 的第 2 項),此電子束熔接到低 TCR 電阻合金 (第 1 項),可在低 TCR 時達到最低 0.1 mΩ 的低電阻值。然而,相較於電阻合金 (< 20 ppm/°C),黃銅端子的 TCR 較高 (3900 ppm/°C),這對整體 TCR 效能會有影響,因為其實需要較低的電阻值。

Vishay Power Metal Strip 電阻的典型結構示意圖圖 4:Vishay Power Metal Strip 電阻的典型結構。(圖片來源:Vishay Dale)

黃銅端子可提供低電阻連接到電阻合金,進而均勻分佈電流到電阻元件,以便大電流應用達到更準確的電流量測。然而,相較於電阻合金 (< 20 ppm/°C),黃銅端子的 TCR 較高 (3900 ppm/°C),這在超低電阻值下,會對整體 TCR 效能會重大影響。此現象可在圖 5 中展現,顯示出總電阻值如何受到黃銅端子與低 TCR 電阻合金兩者加成的影響。若要在指定電阻結構下達到最低電阻值,黃銅對 TCR 等級與效能的影響就更為明顯。

指定電阻結構的較低電阻值示意圖圖 5:  若要在指定電阻結構下達到較低電阻值,黃銅對 TCR 等級與效能的影響就更為明顯。(圖片來源:Vishay Dale)

此影響會在不同零件有不同電阻值範圍時發生。舉例而言,WSLP2512 的 TCR 等級在 1 mΩ 時為 275 ppm/°C,WSLF2512 在 在 1 mΩ 時為 170 ppm/°C。WSLF 有較低的 TCR,因為在相同電阻值下,黃銅所加諸的電阻值較小。

凱氏端子與雙端子的比較

凱氏 (四端子) 結構有兩大優勢:提升電流量測可重複性及增進 TCR 效能。凹槽結構可降低測量時的電路內黃銅量。表 2 展現凱氏端子 WSK2512 相較於雙端子 WSLP2512 的優點。

電阻值範圍 (mΩ) WSLP2512 WSK2512
0.5 0.99 400 350
1 2.9 275 250
3 4.9 150 75
5 200 75 35

表 2:凱氏端子 WSK2512 與雙端子 WSLP2512 的比較(圖片來源:Vishay Dale)

會有兩大問題產生 (圖 6 的範例為 WSL3637)

  • 為何凹槽不一路通到電阻合金以達到最佳 TCR 呢?

    這會引發新的問題,因為黃銅會在受測的電流區產生低電阻率連接。凹槽一路通到電阻合金會導致量測套用到沒有電流的電阻合金部位。這會造成電壓量測值增加。必須要在黃銅 TCR 效應以及量測的準確度與可重複性之間有所妥協。

  • 是否可使用四端子墊設計來達到相同結果?

否。即便四端子墊的設計確實有提供更良好的量測可重複性,但也會消除黃銅在量測電路上的效應。電阻仍可運作到相同等級的 TCR。

Vishay Dale 的 WSL3637 圖片圖 6:凹槽結構 (在此顯示 Vishay Dale 的 WSL3637) 會將電流感測時的電路內黃銅量降低。(圖片來源:Vishay Dale)

升高結構

凱氏端子零件不限於平面 (或扁平) 類的結構。WSK1216WSLP2726 皆是採用升高結構的電阻範例。目的在於節省板空間,同時又透過低 TCR 電阻合金將電阻部分最大化。在最大化電阻元件與凱氏端子的結合下,可讓電阻在超低電阻值下 (低至 0.0002 Ω) 具有低 TCR、小覆蓋區以及高額定功率。

包層結構與熔接的比較

將一層薄黃銅塗在電阻元件上的端子結構也會影響 TCR與量測可重複性。薄銅層也可透過包層或電鍍方式達成。包層結構是將黃銅片與電阻合金以極高壓力的方式滾軋在一起,以在兩種材料間達到一致的機械性接合。在這兩種結構方式中,黃銅層的厚度通常只有數千分之一英吋而已,可將黃銅效應降至最低並改善 TCR。代價就是,安裝到板上時,電阻值會稍微偏移,因為薄銅層無法讓電流均勻分佈在高電阻合金上。在某些情況下,本文所比較的電阻類型在板安裝時的電阻值偏移甚至會大於 TCR 效應。如需進一步瞭解包層結構,可參閱 https://www.vishay.com/doc?30333

另一個結構因素也對電阻的 TCR 特性有些許影響,也就是黃銅與電阻合金的屬性可能會偏移,形成超低 TCR 的特性。可能有需要對指定電阻進行詳細的 TCR 測試,以瞭解完整的效能特性。

應用中的 TCR (環境中與施加電力時)

TCR 通常是指電阻在環境或周遭情況中的變化情況,但還有另一個層面要考量,即施加電力時的溫升。施加電力時,因為電能會轉換成熱能,導致電阻溫度上升。施加電力所導致的溫升也是影響 TCR 的因素之一,有時候會稱做電阻功率因素 (PCR)。

PCR 會帶來另一個受結構影響的考量層面,必須依據零件的熱傳導或內部熱阻 (Rthi) 來決定。具有超低熱阻的電阻,在高導熱板上仍可維持較低的電阻溫度。WSHP2818 就是此類產品的例子之一,其採用大型黃銅端子與內部結構,可提供超高導熱效率的結構,因此與施加的電力相比,溫度不會明顯上升。

並非所有規格書都依照相同基準說明

要比較多家製造商的規格並不容易,因為 TCR 的呈現方式有相當多種。有些製造商會列出元件的 TCR,但這僅是產品整體效能的一部份,也忽略端子的效應。最重要的參數其實是包括端子效應在內的組件 TCR,這才能反映電阻在應用中的運作情況。

在其他情況下,TCR 特性只會在有限的溫度範圍內呈現,如 20°C 至 60°C 之間;但有些 TCR 特性則可在較寬廣的工作溫度範圍內呈現,如 -55°C 至 +155°C 之間。在比較這些電阻後,有限溫度範圍的電阻比起寬廣溫度範圍的電阻呈現更好的效能。在負溫度範圍內,TCR 效能通常是非線性且會更糟。製造商可能有提供指定電阻結構的詳細 TCR 曲線與電阻值,可以此支援您的設計。可洽詢 DigiKey 或 Vishay Dale,請來信至 [email protected]

請參閱圖 7,有顯示非線性 TCR 特性,以及相同電阻在不同溫度範圍內的差異有多少。

非線性 TCR 特性圖圖 7:非線性 TCR 特性範例,以及相同的電阻在不同溫度範圍內的差異有多少。(圖片來源:Vishay Dale)

若規格書列出某個電阻值範圍內的 TCR,代表可能會有更好的效能。在此範圍內的最低電阻值,可界定此範圍內端子效應所帶來的限值。在此相同範圍內最高電阻值的電阻,其 TCR 可能趨零,因為其電阻值大多來自於低 TCR 電阻合金。若是厚膜電阻,則需同時考量電阻薄膜的銀成分與端子效應。查看此比較表時有一點要釐清,就是電阻並非一直都會出現此坡度,有些可能會較平坦,視兩種電阻值材料的 TCR 互動而定。

比較檢查表

此段落的用意是要引導用戶,依據此應用說明提供的詳細資訊,比較不同規格書之間的 TCR。

  1. 電阻結構是否相似?
    1. 端子結構屬於包層、電鍍端子,還是實心黃銅端子?
    2. 規格書是否列出電阻合金 TCR,或組件 (總) TCR 的效能參數?要判定並非一直都很容易
  2. 溫度範圍
    1. 指定 TCR 的溫度範圍是否相同,如 20°C 至 60°C 或更寬廣?
    2. 呈現的 TCR 值是否可在所有電阻值下進行比較?
  3. 設計是否可受惠於凱氏端子,以提升 TCR 效能?
  4. 您是否需要更詳盡的資料以滿足設計需求?[email protected]

參考資料:

(1) 來源: Zandman, Simon, & Szwarc Resistor theory and technology 2002 p. 23 - p.24

其他資源:

  1. 總覽:Power Metal Strip® 表面黏著電流感測電阻

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