單一 FET、MOSFET

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產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
MCH3333A-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
onsemi
0
庫存現貨
停產
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
停產
P 通道
MOSFET (金氧)
30 V
1.6 A (Ta)
4V、10V
295mOhm @ 800mA、10V
2.6V @ 1mA
2.2 nC @ 10 V
±20V
82 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
SC-70FL/MCPH3
3-SMD、扁平引線
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL
onsemi
0
庫存現貨
3,000 : $1.02151
編帶和捲軸封裝 (TR)
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編帶和捲軸封裝 (TR)
停產
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4V、10V
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±20V
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MCH3333A-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
onsemi
0
庫存現貨
停產
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編帶和捲軸封裝 (TR)
停產
P 通道
MOSFET (金氧)
30 V
1.6 A (Tc)
4V、10V
295mOhm @ 800mA、10V
-
2.2 nC @ 10 V
±20V
82 pF @ 10 V
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800mW (Ta)
150°C (TJ)
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表面黏著式
SC-70FL/MCPH3
3-SMD、扁平引線
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單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。