單一 FET、MOSFET

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FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
1,411
庫存現貨
1 : $76.44000
管裝
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1700 V
6.2 A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A、20V
4V @ 1mA
13 nC @ 20 V
+22V、-6V
200 pF @ 1000 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
370
庫存現貨
1 : $159.13000
管裝
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A、20V
4V @ 10mA
95 nC @ 20 V
+22V、-6V
1825 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔式
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2,227
庫存現貨
2,250
原廠
1 : $115.04000
管裝
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A、20V
4V @ 5mA
57 nC @ 20 V
+22V、-6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
873
庫存現貨
1 : $87.20000
管裝
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1700 V
6.4 A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A、20V
4V @ 1mA
11 nC @ 20 V
+22V、-6V
200 pF @ 1000 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
TO-263-7L
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
查看前置時間
1 : $252.98000
管裝
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
70 A (Tc)
20V
50mOhm @ 40A、20V
4V @ 20mA
175 nC @ 20 V
+22V、-6V
317 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247-4L
TO-247-4
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
450 : $29.12862
管裝
-
管裝
停產
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1700 V
5 A (Tc)
15V、20V
1Ohm @ 2A、20V
4V @ 1mA
15 nC @ 20 V
+22V、-6V
200 pF @ 1000 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A、20V
4V @ 7mA
80 nC @ 20 V
+22V、-6V
1125 pF @ 800 V
-
139W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A、20V
4V @ 7mA
63 nC @ 20 V
+22V、-6V
1130 pF @ 800 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
100 A (Tc)
20V
32mOhm @ 50A、20V
4V @ 30mA
265 nC @ 20 V
+22V、-6V
495 pF @ 800 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A、20V
4V @ 10mA
92 nC @ 20 V
+22V、-6V
170 pF @ 800 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A、20V
4V @ 5mA
50 nC @ 20 V
+22V、-6V
890 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
27 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面黏著式
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
TO-263-7
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
22 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面黏著式
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
TO-263-7
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
庫存現貨
有源
-
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
1200 V
39 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面黏著式
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
顯示
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單一 FET、MOSFET


單一場效電晶體 (FET) 與金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 均屬於電晶體類型,可用於放大或切換電子訊號。

單一 FET 的運作方式是透過施加在閘極的電壓所產生的電場,控制源極與汲極之間的電流流動。FET 的主要優點是高輸入阻抗值,這使其非常適合用於訊號放大和類比電路。它們廣泛應用於電子電路中的放大器振盪器緩衝級等場合。

MOSFET 是 FET 的一個子類型,其閘極與通道之間由薄氧化層絕緣,可提升元件效能並使其高效率運作。MOSFET 可進一步分為兩類:

MOSFET 因其低功耗、高速切換、處理大電流和電壓的能力,而在許多應用中受到青睞。它們在數位與類比電路中扮演關鍵角色,包括電源供應器、馬達驅動器、無線射頻應用。

MOSFET 的運作可分為兩種模式:

  • 增強模式:在此模式下,當閘源電壓為零時,MOSFET 通常處於關斷狀態。需施加正閘源電壓 (對於 n 通道型) 或負閘源電壓 (對於 p 通道型) 才能導通。
  • 空乏模式:在此模式下,當閘源電壓為零時,MOSFET 通常處於導通狀態。施加極性相反的閘源電壓即可將其關斷。

MOSFET 具有多種優勢,例如:

  1. 高效率:它們消耗的功率非常少,而且可以快速切換狀態,這使得它們對於電源管理應用來說非常有效率。
  2. 低導通電阻:導通時具有低電阻,可將功率損耗與熱生成降至最低。
  3. 高輸入阻抗:絕緣閘極結構使其具有極高輸入阻抗,非常適合高阻抗訊號放大應用。

總結來說,單一 FET,尤其是 MOSFET,是現代電子的重要元件,以其高效率、高速、多功能性著稱,應用範圍廣泛,從低功率訊號放大到高功率切換與控制皆適用。