單一 FET、MOSFET

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製造商零件編號
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系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
PG-TO263-3-2
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Infineon Technologies
1,671
庫存現貨
1 : $45.77000
切帶裝 (CT)
1,000 : $23.71804
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
150 V
120 A (Tc)
8V、10V
4.8mOhm @ 60A、10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-3-2
TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
PG-TO263-3
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Infineon Technologies
947
庫存現貨
1 : $54.74000
切帶裝 (CT)
1,000 : $29.60721
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
150 V
120 A (Tc)
10V
4.8mOhm @ 100A、10V
4.9V @ 255µA
84 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 75 V
-
313W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-3
TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
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單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。