SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

SQ4917EY-T1_GE3
DigiKey 零件編號	742-SQ4917EY-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SQ4917EY-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQ4917EY-T1_GE3
說明	MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 8 A (Tc) 5W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT)
零件狀態	停產
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 P 通道 (雙)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	8 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	48mOhm @ 4.3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1910pF @ 30V
功率 - 最大值	5W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TA)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
供應商元件封裝	8-SOIC
基礎產品編號	SQ4917