Name: SIR5112DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5112DP-T1-RE3TR-ND
Price: 19.13 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIR5112DP-T1-RE3
DigiKey 零件編號	742-SIR5112DP-T1-RE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SIR5112DP-T1-RE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SIR5112DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIR5112DP-T1-RE3
說明	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
製造商的標準前置時間	28 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 12.6A (Ta)、42.6A (Tc) 5W (Ta)、56.8W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIR5112DP-T1-RE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	12.6A (Ta)、42.6A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	7.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	14.9mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	790 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	5W (Ta)、56.8W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerPAK® SO-8
封裝／外殼	PowerPAK® SO-8
基礎產品編號	SIR5112