TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

DigiKey 零件編號
SIHB33N60EF-GE3-ND
製造商
Vishay Siliconix
製造商零件編號
SIHB33N60EF-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
製造商的標準前置時間
25 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Vishay Siliconix
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
33 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
98mOhm @ 16.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3454 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
278W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝／外殼
TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號
SIHB33
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