SIHB22N60AE-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

相似


onsemi
庫存現貨: 1,502
單價 : $49.06000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 2,969
單價 : $34.90000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 1,157
單價 : $22.14000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 3,176
單價 : $29.72000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : $26.35173

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : $29.72273

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 821
單價 : $31.28000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 4,631
單價 : $41.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 0
單價 : $42.97000
規格書
SQM120P04-04L_GE3
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIHB22N60AE-GE3

DigiKey 零件編號
SIHB22N60AE-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHB22N60AE-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
製造商的標準前置時間
20 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
SIHB22N60AE-GE3 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
180mOhm @ 11A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
179W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝/外殼
基礎產品編號
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

可訂購
查看前置時間
DigiKey 並無此產品的庫存現貨。顯示的前置時間會套用在製造商出貨給 DigiKey 的時間。收到產品後,DigiKey 就會出貨,以滿足未完成訂單。
皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
1,000$14.36254$14,362.54
製造商標準包裝
備註:若採用 DigiKey 加值服務,如產品購入數量少於標準包裝,其包裝類型可能與產品購買時不同。