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SIHB12N60E-GE3無存貨，但提供缺貨預定。
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參數同等
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相似
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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
SIHB12N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | SIHB12N60E-GE3-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | SIHB12N60E-GE3 |
說明 | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK |
製造商的標準前置時間 | 20 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK) |
規格書 | 規格書 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | ||
系列 | - | |
包裝 | 散裝 | |
零件狀態 | 有源 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 600 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 10V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 380mOhm @ 6A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 4V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (最大值) | ±30V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 937 pF @ 100 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 147W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
供應商元件封裝 | TO-263 (D2PAK) | |
封裝／外殼 | ||
基礎產品編號 |
0 現貨
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數量
皆以 HKD 計價
散裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $22.93000 | $22.93 |
| 10 | $14.82400 | $148.24 |
| 100 | $10.20550 | $1,020.55 |
| 500 | $8.23030 | $4,115.15 |
| 1,000 | $7.59548 | $7,595.48 |
| 2,000 | $7.06188 | $14,123.76 |
| 5,000 | $6.83274 | $34,163.70 |
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