SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

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Vishay Siliconix

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SI8805EDB-T2-E1
DigiKey 零件編號	SI8805EDB-T2-E1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI8805EDB-T2-E1
說明	MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 8 V 2.2 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 4-Microfoot
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	8 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	2.2 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.2V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	68mOhm @ 1.5A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	700mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±5V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	500mW (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	4-Microfoot
封裝／外殼	4-XFBGA、CSPBGA
基礎產品編號	SI8805