SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

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SI5504BDC-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI5504BDC-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI5504BDC-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI5504BDC-T1-GE3
說明	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 4 A、3.7 A 3.12W、3.1W 表面黏著式 1206-8 ChipFET™
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI5504BDC-T1-GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT)
零件狀態	停產
技術	MOSFET (金氧)
配置	N 和 P 通道
FET 特點	邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	4 A、3.7 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	65mOhm @ 3.1A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	220pF @ 15V
功率 - 最大值	3.12W、3.1W
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-SMD、扁平引線
供應商元件封裝	1206-8 ChipFET™
基礎產品編號	SI5504