Name: XPN7R104NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN7R104NCL1XHQTR-ND
Price: 3.05 HKD
Availability: InStock

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XPN7R104NC,L1XHQ
DigiKey 零件編號	264-XPN7R104NCL1XHQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-XPN7R104NCL1XHQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-XPN7R104NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	XPN7R104NC,L1XHQ
說明	MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
製造商的標準前置時間	20 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 40 V 20 A (Ta) 840mW (Ta)、65W (Tc) 表面黏著式 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	XPN7R104NC,L1XHQ 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSIII
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	20 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	7.1mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 200µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1290 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	840mW (Ta)、65W (Tc)
工作溫度	175°C
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
封裝／外殼	8-PowerVDFN
基礎產品編號	XPN7R104