Name: TK200F04N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK200F04N1LLXGQTR-ND
Price: 37.21 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TK200F04N1L,LXGQ
DigiKey 零件編號	264-TK200F04N1LLXGQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-TK200F04N1LLXGQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-TK200F04N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TK200F04N1L,LXGQ
說明	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
製造商的標準前置時間	32 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) 表面黏著式 TO-220SM (W)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TK200F04N1L,LXGQ 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	200 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	0.9mOhm @ 100A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	214 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	14920 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	375W (Tc)
工作溫度	175°C
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-220SM (W)
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	TK200F04