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電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列、預偏壓 2 PNP 預偏壓 (雙) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面黏著式 US6
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RN2964(TE85L,F)

DigiKey 零件編號
RN2964(TE85LF)TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
RN2964(TE85L,F)
說明
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
客戶參考號碼
詳細說明
電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列、預偏壓 2 PNP 預偏壓 (雙) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面黏著式 US6
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
RN2964(TE85L,F) 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態
停產
電晶體類型
2 PNP 預偏壓 (雙)
電流 - 集極 (Ic) (最大值)
100mA
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)
50V
電阻 - 基座 (R1)
47kOhm
電阻 - 發射器基座 (R2)
47kOhm
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
80 @ 10mA、5V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic
300mV @ 250µA、5mA
電流 - 集極截止 (最大值)
100 nA (ICBO)
頻率 - 轉換
200MHz
功率 - 最大值
100mW
安裝類型
表面黏著式
封裝/外殼
6-TSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝
US6
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