Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 43.63 HKD
Availability: InStock

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GT40QR21(STA1,E,D
DigiKey 零件編號	264-GT40QR21(STA1ED-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	GT40QR21(STA1,E,D
說明	IGBT 1200V 40A TO-3P
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	IGBT 1200 V 40 A 230 W 通孔式 TO-3P (N)
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 IGBT 單一 IGBT
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	有源
IGBT 類型	-
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)	1200 V
電流 - 集極 (Ic) (最大值)	40 A
電流 - 集極脈衝 (Icm)	80 A
Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic	2.7V @ 15V、40A
功率 - 最大值	230 W
切換能量	-、290µJ (關)
輸入類型	標準
Td (開／關) @ 25°C	-
測試條件	280V、40A、10Ohm、20V
逆向復原時間 (trr)	600 ns
工作溫度	175°C (TJ)
安裝類型	通孔式
封裝／外殼	TO-3P-3、SC-65-3
供應商元件封裝	TO-3P (N)
基礎產品編號	GT40QR21