Name: NP50P06KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND
Price: 29.64 HKD
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

NP50P06KDG-E1-AY
DigiKey 零件編號	559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 559-NP50P06KDG-E1-AYCT-ND - 切帶裝 (CT) 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	NP50P06KDG-E1-AY
說明	MOSFET P-CH 60V 50A TO263
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 50 A (Tc) 1.8W (Ta)、90W (Tc) 表面黏著式 TO-263
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NP50P06KDG-E1-AY 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	50 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	17mOhm @ 25A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	5000 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)、90W (Tc)
工作溫度	175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-263
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	NP50P06