NP110N04PUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | 離散式半導體產品

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

NP110N04PUG-E1-AY
DigiKey 零件編號	NP110N04PUG-E1-AY-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	NP110N04PUG-E1-AY
說明	MOSFET N-CH 40V 110A TO263
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 40 V 110 A (Tc) 1.8W (Ta)、288W (Tc) 表面黏著式 TO-263
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NP110N04PUG-E1-AY 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	110 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.8mOhm @ 55A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	390 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	25700 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)、288W (Tc)
工作溫度	175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-263
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	NP110N04