MOSFET - 陣列 30V 6.5 A、7.9 A 900mW 表面黏著式 8-SOIC
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FDS6986AS

DigiKey 零件編號
FDS6986ASTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
FDS6986ASCT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商
製造商零件編號
FDS6986AS
說明
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 30V 6.5 A、7.9 A 900mW 表面黏著式 8-SOIC
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
onsemi
系列
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
零件狀態
停產
技術
MOSFET (金氧)
配置
2 N-通道 (雙)
FET 特點
邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
6.5 A、7.9 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
29mOhm @ 6.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
720pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
表面黏著式
封裝/外殼
8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
供應商元件封裝
8-SOIC
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