IPW65R190CFDFKSA1 Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包裝	管裝
零件狀態	Digi-Key 停止供應
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	17.5 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	190mOhm @ 7.3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4.5V @ 730µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1850 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	151W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	PG-TO247-3-1
封裝／外殼	TO-247-3
基礎產品編號	IPW65R190