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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMW65R083M1HXKSA1 |
說明 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
製造商的標準前置時間 | 23 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 24 A (Tc) 104W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-41 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R083M1HXKSA1 型號 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | ||
系列 | ||
包裝 | 管裝 | |
零件狀態 | 有源 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 650 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 18V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 111mOhm @ 11.2A、18V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 5.7V @ 3.3mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 19 nC @ 18 V | |
Vgs (最大值) | +20V、-2V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 624 pF @ 400 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 104W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 通孔式 | |
供應商元件封裝 | PG-TO247-3-41 | |
封裝／外殼 | ||
基礎產品編號 |
現貨: 15
可立即出貨
數量
皆以 HKD 計價
管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $58.95000 | $58.95 |
| 30 | $35.87933 | $1,076.38 |
| 120 | $32.42592 | $3,891.11 |
| 510 | $25.39567 | $12,951.79 |
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15 項
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