新產品
PG-HSOF-8-2
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IMT65R050M2HXUMA1

DigiKey 零件編號
448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND
製造商
Infineon Technologies
製造商零件編號
IMT65R050M2HXUMA1
說明
SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間
23 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 48.1A (Tc) 237W (Tc) 表面黏著式 PG-HSOF-8-2
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
48.1A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
15V、20V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
46mOhm @ 18.2A、20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.6V @ 3.7mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (最大值)
+23V、-7V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
790 pF @ 400 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
237W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
PG-HSOF-8-2
封裝／外殼
8-PowerSFN
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數量
皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
2,000$26.30021$52,600.42
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