
IMBG65R048M1HXTMA1 | |
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DigiKey 零件編號 | 448-IMBG65R048M1HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG65R048M1HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG65R048M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMBG65R048M1HXTMA1 |
說明 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
製造商的標準前置時間 | 23 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 45 A (Tc) 183W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMBG65R048M1HXTMA1 型號 |
類型 | 說明 | 全選 |
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類別 | ||
製造商 | ||
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel® | |
零件狀態 | 有源 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 650 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 18V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 64mOhm @ 20.1A、18V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 5.7V @ 6mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 33 nC @ 18 V | |
Vgs (最大值) | +23V、-5V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1118 pF @ 400 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 183W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
供應商元件封裝 | PG-TO263-7-12 | |
封裝/外殼 | ||
基礎產品編號 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1 | $76.53000 | $76.53 |
10 | $52.43500 | $524.35 |
100 | $42.12410 | $4,212.41 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1,000 | $34.41542 | $34,415.42 |