BSD316SNL6327XT Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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BSD316SNL6327XT
DigiKey 零件編號	BSD316SNL6327XTTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSD316SNL6327XTCT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSD316SNL6327XT
說明	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 1.4 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT363-PO
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	1.4 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	160mOhm @ 1.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2V @ 3.7µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	0.6 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	94 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	500mW (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-SOT363-PO
封裝／外殼	6-VSSOP、SC-88、SOT-363