BSC059N03ST Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	Digi-Key 停止供應
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	19 A (Ta)、89 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	5.5mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2V @ 35µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	21 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2670 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	-
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TDSON-8-1
封裝／外殼	8-PowerTDFN