BSB280N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies | 離散式半導體產品

BSB280N15NZ3GXUMA1
DigiKey 零件編號	BSB280N15NZ3GXUMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSB280N15NZ3GXUMA1
說明	MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 150 V 9 A (Ta)、30 A (Tc) 2.8W (Ta)、57W (Tc) 表面黏著式 MG-WDSON-2、CanPAK M™
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSB280N15NZ3GXUMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	150 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9 A (Ta)、30 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	28mOhm @ 30A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 60µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1600 pF @ 75 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.8W (Ta)、57W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	MG-WDSON-2、CanPAK M™
封裝／外殼	3-WDSON
基礎產品編號	BSB280