Name: BSB056N10NN3GXUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSB056N10NN3GXUMA3TR-ND
Price: 9.62227 HKD
Availability: OutOfStock

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BSB056N10NN3GXUMA2

Infineon Technologies

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BSB056N10NN3GXUMA3
DigiKey 零件編號	448-BSB056N10NN3GXUMA3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSB056N10NN3GXUMA3
說明	TRENCH >=100V
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 9 A (Ta)、83 A (Tc) 2.8W (Ta)、78W (Tc) 表面黏著式 MG-WDSON-5-3
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9 A (Ta)、83 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	5.6mOhm @ 30A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.5V @ 100µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	5500 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.8W (Ta)、78W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	MG-WDSON-5-3
封裝／外殼	DirectFET™ 等距 MN