SISF20DN-T1-GE3 共汲極雙 N 通道 60 V MOSFET

Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 是共汲極雙 N 通道 60 V MOSFET，採用緊密、耐熱增強的 PowerPAK® 1212-8SCD 封裝。Vishay Siliconix SiSF20DN 旨在提高電池管理系統、插入式和無線充電器、DC/DC 轉換器和電源供應器的功率密度和效率，以 60 V 共汲極元件提供業界最低的 R_S-S(ON)。

雙 MOSFET 在 10 V 電壓下提供低至 10 mΩ 典型值的 R_S-S(ON)，是目前在 3 mm x 3 mm 覆蓋區的 60 V 元件中最低的。與這種覆蓋區尺寸的次佳解決方案相比，這個數值代表 42.5% 的提升，而且也比 Vishay 的前一代元件低 89%。成果是讓電源路徑上的壓降更少，並最小化功率損耗，從而提高效率。為獲得更高的功率密度，即使納入更大的 6 mm x 5 mm 解決方案，SiSF20DN 的 R_S1S2(ON) 面積也比次佳的 MOSFET 低 46.6%。

為節省 PCB 空間、減少元件數量並簡化設計，該元件採用最佳化的封裝結構，並在共汲極配置中整合兩個單晶片 TrenchFET® Gen IV N 通道 MOSFET。與傳統的雙封裝類型相比，SiSF20DN 的源極觸點透過擴大的連接並排放置，可增加與 PCB 的接觸面積並降低電阻率。這種設計使該 MOSFET 非常適合 24 V 系統和工業應用中的雙向開關，包括工廠自動化、電動工具、無人機、馬達驅動器、白色家電、機器人、安全／監視和煙霧警報器。SiSF20DN 100% 通過 R_g 和 UIS 測試，符合 RoHS 指令且無鹵素。