線性和邏輯解決方案

小型邏輯

Texas Instruments (TI) 的小型邏輯元件有助於解決設計難題，在現今市場贏得各方肯定。

• 外型更加精巧，上市時間更快
• 眾多元件選擇，單站購足
• 元件齊全，隨時購足
• 優質元件，客戶導向

SN74AUP1G06DRYR

低功率單通道反相器緩衝器／驅動器，具有開汲極輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 1 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部分斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.6 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G07DRYR

低功率單通道緩衝器／驅動器，搭載開汲極輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 1 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.3 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G80DRYR

低功率單通道正緣觸動 D 型正反器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 4.3 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 史密特觸發器動作能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，Vhys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.4 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G00DSFR

低功率單通道雙輸入正向 NAND 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 4 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：小於 10% V_CC 的過衝和下衝
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.8 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G02DSFR

低功率單通道雙輸入正向 NOR 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 4.3 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.6 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G07DSFR

低功率單通道緩衝器／驅動器，搭載開汲極輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 1 pF）
• 低輸入電容量（C_i 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.3 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G32

低功率單通道雙輸入正向 OR 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗（I_CC 最大值為 0.9 µA）
• 低動態功耗（3.3 V 時，C_pd 典型值為 4.3 pF）
• 低輸入電容量（C_I 典型值為 1.5 pF）
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.6 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G74

低功率單通道正緣觸發 D 型正反器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗：I_CC 最大值為 0.9 µA
• 低動態功耗：3.3 V 時，C_pd 典型值為 5.5 pF
• 低輸入電容量：C_i 典型值為 1.5 pF
• 低雜訊：過衝和下衝小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 史密特觸發器動作能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 5 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1G79

低功率單通道正緣觸發 D 型正反器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 低靜態功耗：
  I_CC 最大值為 0.9 µA
• 低動態功耗：3.3 V 時，
  C_pd 典型值為 3 pF
• 低輸入電容量：
  C_i 典型值為 1.5 pF
• 低雜訊：過衝和下衝
  小於 V_CC 的 10%
• I_off 支援部分斷電模式操作
• 輸入磁滯能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換
  雜訊耐受性（3.3 V 時，V_hys 典型值為 250 mV）
• 寬廣的工作 V_CC 範圍：0.8 V 至 3.6 V
• 專為 3.3 V 操作最佳化
• 3.6 V I/O 容差可支援混合模式訊號操作
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4 ns
• 適合點對點應用
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G04

單通道反相器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.3 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援即時插入、部分斷電
  模式和反向驅動防護
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G07

單通道緩衝器／驅動器搭載開汲極輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的
  NanoFree 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入與開汲極輸出可接受
  高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.2 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式
  操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合
  JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G08

單通道雙輸入正向 AND 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.6 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G14

單通道史密特觸發器反相器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar 與 NanoFree 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.6 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援即時插入、部分斷電模式和反向驅動防護
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G17

單通道史密特觸發器緩衝器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.6 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援即時插入、部分斷電模式和反向驅動防護
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G32

單通道雙輸入正向 OR 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 與 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.6 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G123

具史密特觸發器輸入的單通道可重覆觸發單穩態多諧振盪器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 8 ns
• 針對所有連接埠支援混合模式電壓操作
• 位於 A 與 B 輸入端的史密特觸發器電路可達到緩慢的輸入轉換率
• 透過高態動作或低態動作閘極邏輯輸入達到邊緣觸發
• 可重複觸發能達到超長輸出脈衝，最高 100% 工作週期
• 覆寫 Clear 時會終止輸出脈衝
• 輸出上有無毛刺的啟動重置
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G125

單匯流排緩衝閘極具有三態輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.7 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC1G332

單通道三輸入正向 OR 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 與 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.5 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合
  JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC2G08

雙通道雙輸入正向 AND 閘

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 支援 5 V V_CC 操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.7 ns
• 低功耗，I_CC 最大值為 10 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OLP（輸出接地彈跳）小於 0.8 V
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OHV（輸出 V_OH 下衝）大於 2 V
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

邏輯

Texas Instruments (TI) 是全球邏輯領域的領導廠商，推出完整的邏輯功能與技術產品，包括成熟的雙極與雙極互補金氧半導體 (BiCMOS) 系列產品，以及最先進的 CMOS 系列產品。 TI 針對現今電子市場的需求，提供製程技術以及優異的邏輯效能和功能，同時也繼續為傳統邏輯產品提供支援。 TI 旗下的產品包括下列製程技術或元件系列：

• AC、ACT、AHC、AHCT、ALVC、AUC、AUP、AVC、FCT、HC、HCT、LV-A、LV-AT、LVC、TVC
• ABT、ABTE、ALB、ALVT、BCT、HSTL、LVT
• BTA、CB3Q、CB3T、CBT、CBT-C、CBTLV、FB、FIFOs、GTL、GTLP、JTAG、I²C、VME
• ALS、AS、F、LS、S、TTL

SN74LVC00ARGYR

四通道雙輸入正向 NAND 閘

點選以瞭解詳情。

• 使用 1.65 V 至 3.6 V 電壓操作
• 工作溫度範圍為 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.3 ns
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OLP（輸出接地彈跳）小於 0.8 V
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OHV（輸出 V_OH 下衝）大於 2 V
• 閂鎖效應效能超過 250 mA，符合 JESD 17 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC06ARGYR

六位元反相器緩衝器／驅動器，搭載開汲極輸出

點選以瞭解詳情。

• 使用 1.65 V 至 3.6 V 電壓操作
• 工作溫度範圍為 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C
• 輸入與開汲極輸出可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 3.7 ns
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 250 mA，符合 JESD 17 標準

SN74LVC08ARGYR

四通道雙輸入正向 AND 閘

點選以瞭解詳情。

• 使用 1.65 V 至 3.6 V 電壓操作
• 工作溫度範圍為 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 4.1 ns
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OLP（輸出接地彈跳）小於 0.8 V
• 當 V_CC 為 3.3 V、T_A 為 25°C 時，典型 V_OHV（輸出 V_OH 下衝）大於 2 V
• 閂鎖效應效能超過 250 mA，符合 JESD 17 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

TS3L110

四通道 SPDT 高頻寬 10/100 Base-T LAN 交換器差動 8 至 4 多工器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 寬廣頻寬（頻寬典型值為 500 MHz）
• 低串音（X_TALK 典型值為 -30 dB）
• 雙向數據流，傳播延遲近乎為零
• 低且扁平導通電阻 (r_on = 4 Ω)
• 數據 I/O 連接埠切換（0 至 5 V）
• V_CC 工作電壓範圍介於 3 V 至 3.6 V
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 數據與控制輸入具備下衝箝位二極體
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• 適用於 10 Base-T/100 Base-T 訊號

CD4011B

CMOS 四通道雙輸入 NAND 閘

點選以瞭解詳情。

• 在 C_L 為 50 pF、V_DD 為 10 V 時，傳播延遲時間為 60 ns（典型值）
• 緩衝輸入與輸出
• 標準化對稱輸出特性
• 在 18 V 及完整封裝溫度範圍內，最大輸入電流為 1 µA；在 18 V 及 25°C 時，則為 100 nA
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 雜訊容限（在完整封裝溫度範圍內）：
  V_DD 為 5 V
  時 1 V、V_DD 為 10 V
  時 2 V、V_DD 為 15 V 時 2.5 V
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求

CD4013B

CMOS 雙通道 D 型正反器

點選以瞭解詳情。

• 設定-重置功能
• 靜態正反器操作 — 持續保留「高」或「低」時脈位準的狀態
• 中速操作 — 10 V 時的時脈觸發器率為 16 MHz（典型值）
• 標準化對稱輸出特性
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 在 18 V 及完整封裝溫度範圍內，最大輸入電流為 1 µA；在 18 V 及 25°C 時，則為 100 nA
• 雜訊容限（完整封裝溫度範圍）：
  
  • 1 V（V_DD 為 5 V）
  • 2 V（V_DD 為 10 V）
  • 2.5 V（V_DD 為 15 V）
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求
• 應用：
  • 暫存器、計數器、控制電路

CD4017B

具備 10 道解碼輸出的 CMOS 十進位計數器

點選以瞭解詳情。

• 完整靜態操作
• V_DD 為 10 V 時，能以 10 MHz（典型值）進行中速操作
• 標準化對稱輸出特性
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求
• 應用：
  • 十進位計數器／十進位解碼顯示器 (CD4017B)
  • 二進位計數器／解碼器
  • 分頻
  • 計數器控制／計時器
  • 除以 N 計算
  • 如需詳細應用資訊，請參閱 ICAN-6166「COS/MOS MSI 計數器與暫存器設計及應用」

CD4049UB

CMOS 十六進位反相緩衝器／轉換器

點選以瞭解詳情。

• CD4049UB 反相
• CD4050B 非反相
• 高流入電流可驅動 2 個 TTL 負載
• 高至低邏輯位準轉換
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 在 18 V 及完整封裝溫度範圍內，最大輸入電流為 1 µA；在 18 V 及 25°C 時，則為 100 nA
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 應用
  • CMOS 至 DTL/TTL 十六進位轉換器
  • CMOS 電流「流入」或「流出」驅動器
  • CMOS 高至低邏輯位準轉換器

CD4051B

具邏輯位準轉換功能的 CMOS 單一 8 通道類比多工器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 寬廣的數位與類比訊號位準範圍
  • 數位：3 V 至 20 V
  • 類比：≤20V_P-P
• 在 V_DD–V_EE 為 18 V 且在 15 V_P-P 訊號輸入範圍內可達到 125 Ω（典型值）低導通電阻
• 在 V_DD–V_EE 為 18 V 時具有高斷態電阻，通道漏電流為 ±100 pA（典型值）
• 邏輯位準轉換功能可將 3 V 至 20 V 的數位定址訊號（V_DD–V_SS = 3 V 至 20V）轉換成 20 V_P-P 的 的開關類比訊號 (V_DD–V_EE = 20V)
• 匹配的開關特性，在 V_DD–V_EE = 15 V 時，r_ON 為 5Ω（典型值）
• 在所有數位控制輸入與供電情況下，皆維持超低靜態功耗，V_DD–V_SS = V_DD–V_EE = 10V 時為 0.2µW（典型值）
• 晶片上有二進位位址解碼
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 10 % 通過 20 V 靜態電壓測試
• 在 18 V 及完整封裝溫度範圍內，最大輸入電流為 1 µA；在 18 V 及 25°C 時，則為 100 nA
• 先斷後通切換功能可消除通道重疊
• 應用
  • 類比與數位多工／解多工
  • A/D 與 D/A 轉換
  • 訊號閘控

CD4060B

CMOS 14 級漣波承載二進位計數器／分頻器和振盪器

點選以瞭解詳情。

• 15 V 時，時脈率為 12 MHz
• 一般重置
• 完整靜態操作
• 緩衝輸入與輸出
• 史密特觸發器輸入脈衝線路
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 標準化對稱輸出特性
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求
• 振盪器特點：
  • 晶片上有所有作用元件
  • RC 或晶體振盪器組態
  • 15 V 時，RC 振盪器頻率最小值為 690 kHz
• 應用
  • 控制計數器
  • 計時器
  • 分頻器
  • 時間延遲電路

CD4066B

CMOS 四通道雙向開關

點選以瞭解詳情。

• 15 V 數位或 ±7.5 V 峰值對峰值切換
• 在 15 V 操作下典型導通電阻為 125 Ω
• 在 15 V 訊號輸入範圍內，開關的導通電阻會匹配至 5 Ω 以內
• 在完整的峰對峰訊號範圍內達到平坦的導通電阻
• 高開／關輸出電壓比：f_is = 10 kHz、R_L = 1 kΩ 時典型值為 80 dB
• 高線性度：f_is = 1 kHz、V_is = 5 V p-p、V_DD–V_SS Ω 時，失真典型值小於 0.5%
• 極低斷態開關漏電，因此能達到超低偏移電流與高有效性斷態電阻：V_DD–V_SS = 10 V、T_A = 25°C 時典型值為 10 pA
• 極高控制輸入阻抗（控制電路與訊號電路彼此隔離）：10¹² Ω（典型值）
• 低開關串音：f_is = 8 MHz、R_L = 1 kΩ 時典型值為 -50 dB
• 匹配的控制輸入對訊號輸出電容量：減少輸出訊號暫態
• 頻率響應，開啟時 = 40 MHz（典型值）
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求
• 應用：
  • 類比訊號切換／多工：
    訊號閘控、調變器、靜噪控制、解調器、截波器、換相開關
  • 數位訊號切換／多工
  • 傳輸閘極邏輯實作
  • 類比至數位與數位至類比轉換
  • 數位頻率控制、阻抗值、相位和類比訊號增益

CD4093B

CMOS 四通道雙輸入 NAND 史密特觸發器

點選以瞭解詳情。

• 每個輸入皆可執行史密特觸發器動作，無需使用外部元件
• V_DD = 5 V 時典型磁滯電壓為 0.9 V；V_DD = 10 V 時則為 2.3 V
• 雜訊耐受性大於 50%
• 輸入上升和下降時間沒有限制
• 標準化對稱輸出特性
• 100% 通過 20 V 靜態電壓測試
• 在 18 V 及完整封裝溫度範圍內，最大輸入電流為 1 µA；在 18 V 及 25°C 時，則為 100 nA
• 5 V、10 V 和 15 V 參數額定值
• 符合 JEDEC 暫行標準編號第 13B「B 系列 CMOS 元件說明標準規格」的所有要求
• 應用：
  • 波形與脈衝整形器
  • 高雜訊環境系統
  • 單穩態多諧振盪器
  • 非穩態多諧振盪器
  • NAND 邏輯

CD74HC154

高速 CMOS 邏輯 4 至 16 線路解碼器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 具備兩個致能輸入，有助於執行解多工與串接功能
• 扇出（在溫度範圍內）
  • 標準輸出 . . . . . . 10 LSTTL 負載
  • 匯流排驅動器輸出 . . . 15 LSTTL 負載
• 寬廣的工作溫度範圍 . . . -55°C 至 125°C
• 平衡的傳播延遲與轉換時間
• 功率明顯低於 LSTTL 邏輯 IC
• HC 類型
  • 工作電壓 2 V 至 6 V
  • 高雜訊耐受性：V_CC = 5 V 時，N_IL= 30%、N_IH = 30% 的 V_CC
• HCT 類型
  • 工作電壓 4.5 V 至 5.5 V
  • 直接 LSTTL 輸入邏輯相容性，V_IL = 0.8 V（最大值）、V_IH = 2 V（最小值）
  • CMOS 輸入相容性，V_OL、V_OH 時，I_l 1µA

SN7400

四通道雙輸入正向 NAND 閘

點選以瞭解詳情。

• 封裝選項包括塑膠小外型（D、NS、PS）、縮小外型 (DB)，以及陶瓷扁平 (W) 封裝、陶瓷晶片支架 (FK) 和標準塑膠 (N) 和陶瓷(J) DIP
• 此外，亦提供採用小外型 (PS) 封裝的雙通道雙輸入正向 NAND 閘

SN7404

六位元反相器

點選以瞭解詳情。

• Texas Instruments 值得信賴的品質和可靠性

SN74HC14

六位元史密特觸發器反相器

點選以瞭解詳情。

• 寬廣的工作電壓範圍：2 V 至 6 V
• 輸出可驅動最高 10 個 LSTTL 負載
• 低功耗，I_CC 最大值為 20 µA
• t_pd 典型值為 11 ns
• 5 V 時，輸出驅動電流為 ±4 mA
• 低輸入電流，最大值為 1 µA

SN74LS00

四通道雙輸入正向 NAND 閘

點選以瞭解詳情。

• 封裝選項包括塑膠小外型（D、NS、PS）、縮小外型 (DB)，以及陶瓷扁平 (W) 封裝、陶瓷晶片支架 (FK) 和標準塑膠 (N) 和陶瓷(J) DIP
• 此外，亦提供採用小外型 (PS) 封裝的雙通道雙輸入正向 NAND 閘

SN74LS04

六位元反相器

點選以瞭解詳情。

• Texas Instruments 值得信賴的品質和可靠性

SN74LS08

四通道雙輸入正向 AND 閘

點選以瞭解詳情。

• 封裝選項包括塑膠小外型封裝、陶瓷晶片支架和扁平封裝，以及塑膠與陶瓷 DIP
• Texas Instruments 值得信賴的品質和可靠性

SN74CB3Q16211

24 位元 FET 2.5 V/3.3 V 低電壓高頻寬匯流排開關

點選以瞭解詳情。

• Texas Instruments 的 Widebus™ 系列
• 高頻寬數據路徑（高達 500 MHz）
• 具元件啟動或斷電功能的 5 V 容差 I/O
• 在工作範圍（r_on 典型值為 5 Ω）下具有低且扁平的導通電阻 (r_on) 特性
• 數據 I/O 連接埠進行軌對軌切換
  • 3.3 V V_CC 進行 0 V 至 5 V 切換
  • 2.5 V V_CC 進行 0 V 至 3.3 V 切換
• 雙向數據流，傳播延遲近乎為零
• 低輸入／輸出電容量可將負載與訊號失真降至最低（C_io(OFF) 典型值為 4 pF）
• 快速切換頻率（f_OE\ 最大值為 20 MHz）
• 數據與控制輸入具備下衝箝位二極體
• 低功耗（I_CC 典型值為 1 mA）
• V_CC 工作電壓範圍介於 2.3 V 至 3.6 V
• 數據 I/O 支援 0 V 至 5 V 的訊號位準（0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V）
• 可透過 5 V/3.3 V CMOS 輸出驅動控制輸入
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74LVC138A

3 線至 8 線解碼器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 使用 1.65 V 至 3.6 V 電壓操作
• 輸入端可接受高達 5.5 V 電壓
• 3.3 V 時，t_pd 最大值為 5.8 ns
• 當 V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 時，典型輸出接地彈跳 (V_OLP)
  小於 0.8 V
• 當 V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 時，典型 V_OHV（輸出 V_OH 下衝）
  大於 2 V
• 閂鎖效應效能超過 250 mA，符合 JESD 17 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

標準線性

TI 的類比市場專用產品適合多種領域，一般用途產品包括訊號調節電路、電源管理、介面產品以及數據轉換器。 TI 開發業界最豐富的低功率和低電壓類比零件，其功能可滿足多種應用的需求。 TI 的標準線性產品提供以下特點：

• 小型封裝
• 高效能
• 大容量
• 應用支援

LMV339

一般用途四通道低電壓比較器

點選以瞭解詳情。

• 2.7 V 與 5 V 效能
• 低電源電流
  • LMV331 . . . 130 µA（典型值）
  • LMV393 . . . 210 µA（典型值）
  • LMV339 . . . 410 µA（典型值）
• 輸入共模電壓範圍（含接地）
• 低輸出飽和電壓典型值為 200 mV
• 集極開路輸出可達到最大彈性

LMV393

一般用途雙通道低電壓比較器

點選以瞭解詳情。

• 2.7 V 與 5 V 效能
• 低電源電流
  • LMV331 . . . 130 µA（典型值）
  • LMV393 . . . 210 µA（典型值）
  • LMV339 . . . 410 µA（典型值）
• 輸入共模電壓範圍（含接地）
• 低輸出飽和電壓典型值為 200 mV
• 集極開路輸出可達到最大彈性

LMV331

一般用途單通道低電壓比較器

點選以瞭解詳情。

• 2.7 V 與 5 V 效能
• 低電源電流
  • LMV331 . . . 130 µA（典型值）
  • LMV393 . . . 210 µA（典型值）
  • LMV339 . . . 410 µA（典型值）
• 輸入共模電壓範圍（含接地）
• 低輸出飽和電壓典型值為 200 mV
• 集極開路輸出可達到最大彈性

LM311

含選通的差動比較器

點選以瞭解詳情。

• 快速響應時間
• 選通功能
• 最大輸入偏壓電流 . . . 300 nA
• 最大輸入偏移電流 . . . 70 nA
• 能以單一 5 V 電源電壓操作
• 支援 Q-Temp 車用產品
  • 高可靠度汽車應用
  • 組態控制／印刷支援
  • 汽車標準認證

LM358

雙通道運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 寬廣的電源範圍：
  • 單電源 . . . 3 V 至 32 V
    （LM2904 為 26 V）
  • 或雙電源 . . . ±1.5 V 至 ±n；16 V
    （LM2904 為 ±13 V）
• 低電源電流損耗，不受電源電壓影響 . . . 0.7 mA（典型值）
• 共模輸入電壓範圍（含接地），支援臨接地直接感測
• 低輸入偏壓與偏移參數：
  • 輸入偏移電壓 ...3 mV（典型值）
    A 款式 ...2 mV（典型值）
  • 輸入偏移電流 ...2 nA（典型值）
  • 輸入偏壓電流 . . . 20 nA（典型值）
    A 款式 . . . 15 µA（典型值）
• 差動輸入電壓範圍等於最大額定電源電壓 . . . ±32 V
  （LM2904 為 26 V）
• 開迴路差動電壓放大 . . . 100 V/mV（典型值）
• 內頻補償

LM4040A25

2.5 V 精密微功率分流電壓參考、0.1% 準確度

點選以瞭解詳情。

• 提供 2.048 V、2.5 V、3 V、4.096 V、5 V、8.192 V 和 10 V 的固定輸出電壓
• 嚴格的輸出容差與低溫係數
  • 最大 0.1%、100 ppm/°C - A 級
  • 最大 0.2%、100 ppm/°C - B 級
  • 最大 0.5%、100 ppm/°C - C 級
  • 最大 1.0%、150 ppm/°C - D 級
• 低輸出雜訊. . .35 µV_RMS（典型值）
• 寬廣的工作電流範圍. . .45 µA（典型值）至 15 mA
• 可搭配所有電容式負載穩定運作；無需使用輸出電容
• 支援延伸溫度範圍. . .-40°C 至 125°C
• 應用
  • 數據採集系統
  • 電源供應器與電源監測器
  • 儀器和測試設備
  • 製程控制
  • 精確音訊
  • 汽車電子
  • 能源管理
  • 電池供電式設備

LT1013

雙通道精密運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 單電源操作
  - 輸入電壓範圍延伸至接地
  - 流入電流時輸出擺動至接地
• LT1013A 輸入偏移電壓
  - 25°C 時最大值為 150 µV
• LT1013A 偏移電壓溫度係數
  - 最大值為 2.5 µV/°C
• LT1013A 輸入偏移電壓
  - 25°C 時最大值為 0.8 nA
• 高增益 . . . LT1013A 的最小值為 1.5 V/µV (RL = 2 kΩ)、0.8 V/µV (RL = 600 kΩ)
• 低電源電流 . . . TA = 25°C 時，LT1013A 最大值為 0.5 mA
• 低峰對峰雜訊電壓 . . . 0.55 µV（典型值）
• 低電流雜訊 . . . 0.07 pA/√Hz（典型值）

NE5532

雙通道低雜訊高速音訊運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 等效輸入雜訊電壓：
  1 kHz 時，典型值為 5 nV/√Hz
• 單位增益頻寬：10 MHz（典型值）
• 共模拒斥比：100 dB（典型值）
• 高 DC 電壓增益：100 V/mV（典型值）
• 峰對峰輸出電壓擺幅典型值為 26 V
  且 V_CC± = ±15 V、R_L = 600 Ω
• 高迴轉率：9 V/μs（典型值）

RC4558

雙通道一般用途運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 持續短路防護
• 寬廣的共模與差動電壓範圍
• 無需頻率補償
• 低功耗
• 無閂鎖效應
• 單位增益頻寬 . . . 3 MHz（典型值）
• 放大器之間的增益與相位匹配
• 低雜訊 . . . 1 kHz 時，典型值為 8 nV/√Hz

TL431

可調式精密分流穩壓器

點選以瞭解詳情。

• 在 -40°C 至 125°C 下操作
• 25°C 時的參考電壓容差
  • 0.5% . . . B 級
  • 1%. . . A 級
  • 2% . . . 標準級
• 典型溫度漂移 (TL431B)
  • 6 mV (C Temp)
  • 14 mV（I Temp、Q Temp）
• 低輸出雜訊
• 0.2 Ω 典型輸出阻抗值
• 流入電流能力 . . . 1 mA 至 100 mA
• 可調式輸出電壓 . . . Vref 至 36 V

TL072

雙通道低雜訊 JFET 輸入一般用途運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 低功耗
• 寬廣的共模與差動電壓範圍
• 低輸入偏壓與偏移電流
• 輸出短路防護
• 低總諧波失真 ... 0.003%（典型值）
• 低雜訊
  f = 1 kHz 時，V_n 典型值為 18 nV/√Hz
• 高輸入阻抗 . . . JFET 輸入級
• 內頻補償
• 無閂鎖效應操作
• 高迴轉率 . . . 13 V/µs（典型值）
• 共模輸入電壓範圍，含 V_CC+

TL074

四通道低雜訊 JFET 輸入一般用途運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 低功耗
• 寬廣的共模與差動電壓範圍
• 低輸入偏壓與偏移電流
• 輸出短路防護
• 低總諧波失真 ... 0.003%（典型值）
• 低雜訊
  f = 1 kHz 時，V_n 典型值為 18 nV/√Hz
• 高輸入阻抗 . . . JFET 輸入級
• 內頻補償
• 無閂鎖效應操作
• 高迴轉率 . . . 13 V/µs（典型值）
• 共模輸入電壓範圍，含 V_CC+

TL084

JFET 輸入運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 低功耗
• 寬廣的共模與差動電壓範圍
• 低輸入偏壓與偏移電流
• 輸出短路防護
• 低總諧波失真...0.003%（典型值）
• 高輸入阻抗...JFET 輸入級
• 無閂鎖效應操作
• 高迴轉率...13 V/µs（典型值）
• 共模輸入電壓範圍，含 V_CC+

UA741

一般用途運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 短路保護
• 偏移電壓空值功能
• 寬廣的共模與差動電壓範圍
• 無需頻率補償
• 低功耗
• 無閂鎖效應
• 設計上能與 Fairchild 的 uA741 互換

L293D

四通道半橋驅動器

點選以瞭解詳情。

• Texas Instruments 現推出 Unitrode L293 與 L293D 產品
• 寬廣的電源電壓範圍：4.5 V 至 36 V
• 獨立輸入邏輯電源
• 內部 ESD 防護
• 熱關斷
• 高雜訊耐受性輸入
• SGS L293 和 SGS L293D 的有效替代品
• 每個通道的輸出電流為 1 A（L293D 為 600 mA）
• 每個通道的峰值輸出電流為 2 A（L293D 為 1.2 A）
• 輸出箝位二極體可達到電感暫態抑制 (L293D)

LMV321

單通道低電壓軌對軌輸出運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 2.7 V 與 5 V 效能
• 工作溫度範圍為 -40°C 至 125°C
• 低功率關斷模式 (LMV324S)
• 無交越失真
• 低電源電流
  • LMV321 . . . 130 µA（典型值）
  • LMV358 . . . 210 µA（典型值）
  • LMV324 . . . 410 µA（典型值）
  • LMV324S . . . 410 µA（典型值）
• 軌對軌輸出擺幅
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

MAX232

雙通道 EIA-232 驅動器／接收器

點選以瞭解詳情。

• 符合或超越 TIA/EIA-232-F 與 ITU 建議 V.28 標準
• 能以單一 5 V 電源供應器操作，並具有 1.0 µF 電荷幫浦電容
• 操作速率高達 120 kbit/s
• 兩個驅動器與兩個接收器
• ±30 V 輸入位準
• 低電源電流 ...8 mA（典型值）
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
• MAX202 提供升級選項，可提供改良的 ESD (15 kV HBM) 與 0.1 µF 電荷幫浦電容
• 應用
  • TIA/EIA-232-F、電池供電式系統、終端機、數據機和電腦

OP07C

低偏移電壓運算放大器

點選以瞭解詳情。

• 低雜訊
• 無需外部元件
• 以更低成本取代截波放大器
• 寬廣的輸入電壓範圍
  . . . 0 至 ±14 V（典型值）
• 寬廣的電源電壓範圍
  . . . ±3 V 至 ±18 V

ESD/EMI

隨著現今裝置追求可攜性、配備多重介面連接器和觸控螢幕，且需要長時間在外使用，系統級靜電放電 (ESD) 防護變得越來越重要。 產品只要遭受一次 ESD 衝擊，就會造成永久損害，因此 ESD 防護是系統設計的關鍵要素。 電磁干擾 (EMI) 是系統設計所面臨的另一項挑戰。 EMI 是一種無線射頻 (RF)（800 MHz 至 2 GHz）干擾，會在外部來源的電磁導通下對電氣電路造成影響。 Texas Instruments 的 ESD 和 EMI 元件具有解決方案，能對連接外界的絕大多數外部連接提供保護。

TPD4E001

低電容 4 通道 +/-15 kV ESD 防護陣列

點選以瞭解詳情。

• 4 通道 ESD 箝制陣列具備增強的系統級 ESD 防護
• 超越 IEC61000-4-2（第 4 級）ESD 防護要求
• ±8 kV IEC 61000-4-2 接觸放電
• ±15 kV IEC 61000-4-2 氣隙放電
• ±15 kV 人體放電模式 (HBM)
• 5.5 A 峰值脈衝電流（8/20 us 脈衝）
• 1.5 pF 低輸入電容量

TPD4S014

適用於 USB 充電器連接埠防護的完整單晶片解決方案

點選以瞭解詳情。

• VBUS 輸入電壓防護高達 28 V
• 低 Ron nFET 開關
• 支援大於 2 A 的充電電流
• 過壓與欠壓鎖定功能

TPD4E001

用於高速數據介面的低電容量 4 通道 +/-15 kV ESD 防護陣列

點選以瞭解詳情。

• 4 通道 ESD 箝制陣列具備增強的系統級 ESD 防護
• 超越 IEC61000-4-2（第 4 級）ESD 防護要求
  • ±8 kV IEC 61000-4-2 接觸放電
  • ±15 kV IEC 61000-4-2 氣隙放電
• ±15 kV 人體放電模式 (HBM)
• 5.5 A 峰值脈衝電流（8/20 µs 脈衝）
• 1.5 pF 低輸入電容量
• 低漏電流，最大 1 nA
• 0.9 V 至 5.5 V 電源電壓範圍
• 節省空間的 DRL、DBV、DCK 和 DRS 封裝選項
• 提供 2、3、6 通道的替代選項：TPD2E001、TPD3E001 和 TPD6E001

TPD8E003

適合可攜式節省空間應用的 8 通道 ESD 陣列

點選以瞭解詳情。

• 8 通道 ESD 箝制陣列具備增強的系統級 ESD 防護
• 超越 IEC61000-4-2（第 4 級）ESD 防護要求
  • ±12 kV IEC 61000-4-2 接觸放電
  • ±15 kV IEC 61000-4-2 氣隙放電
• 3.5 A 峰值脈衝電流（8/20 µs 脈衝）
• ±15 kV 人體放電模式 (HBM)
• 低崩潰電壓：6 V
• 低漏電流
• 節省空間、超薄、小外型、無引線 [WSON (DQD)] 封裝（間距 0.4 mm）
• 應用
  • 鍵盤
  • 觸控螢幕介面
  • 記憶體介面
  • 擴充連接器介面

TPD7S019

七通道整合式 ESD 解決方案，適用於搭載整合式位準移位器的 VGA 埠

點選以瞭解詳情。

• 7 通道 ESD 防護功能包括 ESD 防護、位準移位、緩衝以及同步阻抗匹配
• 超越外接引腳的 IEC61000-4-2（第 4 級）ESD 防護要求
  • ±15 kV 人體放電模式 (HBM)
  • ±8 kV IEC 61000-4-2 接觸放電
• 視訊線路的 ESD 防護二極體具有超低負載電容量 (2.5 pF)
• 適用於 HSYNC 和 VSYNC 線路的 5 V 驅動器
• 適用於同步線路的整合式阻抗匹配電阻：
  • TPD7S019-65：65 Ω 端接
  • TPD7S019-15：15 Ω 端接
  • TPD7S019-55：55 Ω 端接
• 雙向位準移位 N 通道 FET 可用於 DDC_CLK 和 DDC_DATA 通道
• 採用流通單列直插式引腳對應，確保在連接器附近置放
  ESD 防護晶片時無需額外的機板配置
• 應用
  • 以下裝置的 VGA 與 DVI-I 連接埠：
    • 桌上型與筆記型電腦
    • 顯示卡
    • 機上盒
    • 電視

TPD2S017

具串聯電阻隔離功能的雙通道超低箝位電壓 ESD 解決方案

點選以瞭解詳情。

• 超低箝位電壓可在發生 ESD 事件時，確保保護
  超低壓核心晶片組
• 超越 IEC61000-4-2（第 4 級）ESD 防護要求
• 可匹配 ±8 mΩ（典型值）的串聯電阻 (R =1 Ω)
• 差動通道輸入電容量匹配 0.02 pF（典型值）
• 可在高頻時達到高速數據傳輸率與 EMI 濾波動作
  （-3 dB 頻寬、≈3 GHz）
• 採用 6 引腳小外型電晶體 [SOT (DBV)] 封裝
• 高速線路採用流通單列直插式引腳對應，
  確保在連接器附近置放
  ESD 防護晶片時無需額外的機板配置
• 應用
  • 高速 USB
  • IEEE 1394 介面
  • 低電壓差動訊號 (LVDS)
  • 行動顯示數位介面 (MDDI)／行動
    產業處理器介面 (MIPI)
  • HS 訊號

TPD12S015A

HDMI 輔助晶片，含升壓 DC-DC、I2C 位準移位器以及可攜式應用的高速 ESD 夾鉗

點選以瞭解詳情。

• 通過 HDMI 合規測試，無需任何外接元件
• 支援 HDMI 1.4 數據傳輸率
• 符合 D 類與 C 類引腳對應
• 針對每個差動訊號對，提供優異的匹配電容量 (0.05 pF)
• 內部升壓轉換器可透過 2.3-5.5 V 電池電壓產生 5 V 電壓
• CEC、SDA 和 SCL 路徑具有自動方向感測位準移位功能
• 符合 IEC 61000-4-2（第 4 級）系統級 ESD 標準
• 針對業界常用的 TPD12S015 提供改良的立即可用替代品
• 工業溫度範圍：-40°C 至 85°C

TPD1E10B09

單通道 ESD 防護，採用 0402 封裝，具有 10 pF 電容量與 9 V 崩潰電壓

點選以瞭解詳情。

• 針對低電壓 IO 介面提供系統級 ESD 防護
• IEC 61000-4-2 第 4 級
  • ±20 kV（氣隙放電）
  • ±20 kV（接觸放電）
• IEC 61000-4-5（突波）：4.5 A (8/20 µs)
• IO 電容量 10 pF（典型值）
• R_DYN 0.5 Ω（典型值）
• DC 崩潰電壓 ±9.5 V（最小值）
• 超低漏電流 100 nA（典型值）
• 13 V 箝位電壓（I_PP = 1A 時的最大值）
• 工業溫度範圍：-40°C 至 125°C
• 節省空間的 0402 覆蓋區 (1 mm x 0.6 mm x 0.5 mm)

TPD1E10B06

單通道 ESD 防護，採用 0402 封裝，具有 10 pF 電容量與 6 V 崩潰電壓

點選以瞭解詳情。

• 針對低電壓 IO 介面提供系統級 ESD 防護
• IEC 61000-4-2 第 4 級
  • 大於 ±30 kV（氣隙放電）
  • 大於 ±30 kV（接觸放電）
• IEC 61000-4-5（突波）：6 A (8/20 µs)
• IO 電容量 12 pF（典型值）
• R_DYN 0.4 Ω（典型值）
• DC 崩潰電壓 ±6 V（最小值）
• 超低漏電流 100 nA（最大值）
• 10 V 箝位電壓（I_PP = 1A 時的最大值）
• 工業溫度範圍：-40°C 至 125°C
• 節省空間的 0402 覆蓋區 (1 mm x 0.6 mm x 0.5 mm)

類比開關

現今的環境競爭激烈，因此擁有更高效能的需求不斷升高。 最佳化系統效能的常見方法之一就是使用 FET 開關器或訊號開關，在 DSP、CPU、業界標準匯流排、記憶體和周邊裝置之間提供高速雙向匯流排介面。 Texas Instruments 的訊號開關產品組合涵蓋數位開關、類比開關以及特殊用途開關，可針對無需訊號緩衝的標準匯流排介面裝置，提供高效能的低功率替代方案。

類比開關

TS3DDR3812

適用於高速應用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 開關

點選以瞭解詳情。

• 寬廣頻寬：1.675 GHz
• 低傳播延遲（t_pd 典型值為 40 ps）
• 低位元對位元偏斜（t_sk(o) 最大值為 6 ps）
• V_CC 工作電壓範圍：3 V 至 3.6 V

TS5USBA224

高速 USB 2.0 (480 Mbps) 和音訊開關，具備負訊號功能

點選以瞭解詳情。

• 4 Ω 高速 USB 開關：
  • R_DSON 典型值
  • 12.5 pF C_ON 典型值
  • 650 MHz 頻寬 (3 dB)
• 音訊開關：
  • 3 Ω R_DSON 典型值
  • 負軌功能
  • 低 THD：小於 0.05%
  • 內部分流電阻可減少滴答聲與爆音
  • 透過 V_AUDIO 供電（2.7 V 至 5.5 V）
• 1.8-V 相容控制輸入（A_SEL 與 V_BUS）閾值
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試

TS5A22362

具負軌功能的 0.65 Ohm 雙通道 SPDT 類比開關

點選以瞭解詳情。

• 指定先斷後通開關
• 負訊號功能：最大擺幅從
  -2.75 V 至 2.75 V (V₊ = 2.75 V)
• 內部分流開關可避免在切換兩個來源時
  發出滴答聲與爆音 (TS5A22364)
• 低導通電阻（典型值 0.65 Ω）
• 低電荷注入
• 優異的導通電阻匹配
• 2.3 V 至 5.5 V 電源 (V₊)
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2500 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1500 V 充電元件放電模式 (C101)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
• 應用
  • 行動電話
  • PDA
  • 可攜式儀器
  • 音訊佈線
  • 醫療造影

TS3USB221

具單致能的高速 USB 2.0 (480 Mbps) 1:2 多工器／解多工開關

點選以瞭解詳情。

• V_CC 可在 2.5 V 和 3.3 V 下操作
• V_I/O 可接受高達 5.5 V 的訊號
• 1.8-V 相容控制引腳輸入
• OE 停用時的低功率模式 (1 µA)
• r_ON 最大值為 6 Ω
• Δr_ON 典型值為 0.2 Ω
• C_io(on) 最大值為 6 pF
• 低功耗（最大值為 30 µA）
• ESD 防護大於 2000 V 人體放電模式 (HBM)
• 高頻寬（典型值 1.1 GHz）
• 應用
  • 適用於 USB 1.0、1.1 和 2.0 的路徑訊號
  • 行動產業處理器介面 (MIPI) 訊號佈線

TS3USB30

具單致能的高速 USB 2.0 (480 Mbps) 1:2 多工器／解多工開關

點選以瞭解詳情。

• V_CC 可在 3 V 和 4.3 V 下操作
• 1.8-V 相容控制引腳輸入
• I_OFF 支援部分斷電模式操作
• r_on 最大值為 10 Ω
• Δr_on 典型值小於 0.35 Ω
• C_io(ON) 典型值為 7 pF
• 低功耗（最大值為 1 µA）
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 6000 V 人體放電模式 (HBM)
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
  • 250 V 機械放電模式 (A115-A)
• -3-dB 頻寬典型值為 955 MHz
• 採用 10 引腳 TQFN (1.4 mm x 1.8 mm) 封裝
• 應用
  • 適用於 USB 1.0、1.1 和 2.0 的路徑訊號
  • 行動產業處理器介面 (MIPI) 訊號佈線

TS5A23159

1 Ohm 雙通道 SPDT 類比開關 5 V/3.3 V 雙通道 2:1 多工器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 斷電模式下隔離，V₊ = 0
• 指定先斷後通開關
• 低導通電阻 (1 Ω)
• 控制輸入容差為 5.5 V
• 低電荷注入
• 優異的導通電阻匹配
• 低總諧波失真 (THD)
• 1.65 V 至 5.5 V 單電源操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• 應用
  • 行動電話
  • PDA
  • 可攜式儀器
  • 音訊與視訊訊號佈線
  • 低電壓數據採集系統
  • 通訊電路
  • 數據機

TS5USBA224

高速 USB 2.0 (480 Mbps) 和音訊開關，具備負訊號功能

點選以瞭解詳情。

• 高速 USB 開關：
  • 4 Ω R_DSON 典型值
  • 12.5 pF C_ON 典型值
  • 650 MHz 頻寬 (3 dB)
• 音訊開關：
  • 3 Ω R_DSON 典型值
  • 負軌功能
  • 低 THD：小於 0.05%
  • 內部分流電阻可減少滴答聲與爆音
  • 透過 V_AUDIO 供電（2.7 V 至 5.5 V）
• 1.8-V 相容控制輸入（A_SEL 與 V_BUS）閾值
• I_OFF 支援部份斷電模式
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
• 應用
  • 行動電話
  • 個人數位助理裝置 (PDA)
  • 可攜式儀器

TSU6111

具整合阻抗與充電器偵測功能的雙通道 SP2T Micro-USB 開關

點選以瞭解詳情。

• 雙通道 SP2T
  • USB 和 UART 路徑支援高速 USB 2.0
• 智慧偵測
  • 插入／拔除偵測
  • USB 充電器偵測
  • 阻抗偵測
  • 偵測功能相容於 CEA-936A
    （4 線通訊協定、UART 介面）
• 充電器偵測
  • 符合 USB BCDv1.1 規範
  • VBUS 偵測
  • 數據接觸偵測
  • 初級與次級偵測
• 相容配件
  • USB 纜線
  • UART 纜線
  • USB 充電器 BCDv1.1
• 其他特點
  • I²C 介面含主機處理器
  • 支援製造用的控制訊號（JIG、BOOT）
  • 適用於連接與拔除配件的中斷功能

TS3A24159

0.3 Ohm 雙通道 SPDT 類比開關雙通道 2:1 多工器／解多工器

點選以瞭解詳情。

• 指定先斷後通開關
• 低導通電阻（最大值 0.3 Ω）
• 低電荷注入
• 優異的導通電阻匹配
• 低總諧波失真 (THD)
• 1.65 V 至 3.6 V 單電源操作
• 控制輸入相容於 1.8 V 邏輯
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• • 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式（A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

負載開關

TI 的 TPS229xx 系列整合式負載開關提供簡易的解決方案，能降低漏電流進而讓系統功耗達到最佳化。 這些負載開關是特別設計的解決方案，能因應可攜式電源管理設計人員所面臨的挑戰。 透過單一晶片整合離散負載開關的所有主要功能，為使用者提供最大效能與靈活性。 使用整合式負載開關可輕鬆實作配電管理架構，並可在應用不使用時將其斷電。

TPS22946

超低功率、低輸入電壓、有限電流負載開關

點選以瞭解詳情。

• V_IN = 1.8 V 時，可提供
  1 µA 超低靜態電流（典型值）
• 輸入電壓範圍：1.62 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • V_IN = 5.5 V 時，r_ON = 300 mΩ
  • V_IN = 3.3 V 時，r_ON = 400 mΩ
  • V_IN = 2.5 V 時，r_ON = 500 mΩ
  • V_IN = 1.8 V 時，r_ON = 600 mΩ
• 可選擇的最小電流限制：
  155 mA、70 mA 或 30 mA
• 整合式湧入電流逾時 (8 ms)
• 關斷電流：小於 1 µA
• 熱關斷
• 故障屏蔽
• 自動重啟
• 過電流情況逾時（針對
  永久過電流自動停用）
• 1.8 V 相容控制輸入
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 6000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
• 小型 WCSP 封裝 1.4 mm &timews; 0.9 mm (YZP)
• 應用
  • 指紋模組防護

TPS22941

具關斷與自動重啟功能的低輸入電壓 40 mA 電流限制負載開關

點選以瞭解詳情。

• 輸入電壓範圍：1.62 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • V_IN = 5.5 V 時，r_ON = 0.4 Ω
  • V_IN = 3.3 V 時，r_ON = 0.5 Ω
  • V_IN = 2.5 V 時，r_ON = 0.6 Ω
  • V_IN = 1.8 V 時，r_ON = 0.8 Ω
• 最小電流限制：40 mA 或 100 mA
• 欠壓鎖定
• 熱關斷
• 關斷電流：小於 1 µA
• 快速電流限制響應時間
• 故障屏蔽
• 自動重啟
• 1.8 V 相容控制輸入閾值
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 4000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• 小型 SC-70 (DCK) 封裝
• 應用
  • 低電流感測器防護

TPS22904

具快速輸出放電功能的超小型低輸入電壓低 rON 負載開關

點選以瞭解詳情。

• 輸入電壓：1.1 V 至 3.6 V
• 超低導通電阻
  • V_IN = 3.6 V 時，r_ON = 66 mΩ
  • V_IN = 2.5 V 時，r_ON = 75 mΩ
  • V_IN = 1.8 V 時，r_ON = 90 mΩ
  • V_IN = 1.2 V 時，r_ON = 135 mΩ
• 500 mA 最大連續切換電流
• 靜態電流：小於 1 µA
• 關斷電流：小於 1 µA
• 低控制輸入閥值能使用 1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V 邏輯
• 受控迴轉率（3.6 V 時最大值為 5 µs）
• 快速輸出放電（僅 TPS22904）
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• 4 端子晶圓晶片尺寸封裝 (WCSP)
  • 0.8 mm × 0.8 mm、
    間距 0.4 mm 間距、高度 0.5 mm
• 應用
  • PDA
  • 行動電話

TPS22929D

低輸入電壓、1.8 A 單通道負載開關含受控啟動

點選以瞭解詳情。

• 整合式單一負載開關
• 小型 SOT23-6 封裝
• 輸入電壓範圍：1.4 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • VIN = 5 V 時，r_ON = 115 mΩ
  • VIN = 3.3 V 時，r_ON = 115 mΩ
  • VIN = 2.5 V 時，r_ON = 118 mΩ
  • VIN = 1.5 V 時，r_ON = 129 mΩ
• 1.8 A 連續切換電流 (25C)
• 低閾值控制輸入
• 多種受控迴轉率選項
• 欠壓鎖定
• 快速輸出放電電晶體
• 逆電流防護

TPS22913C

超小型、低 rON、2 A 單一通道負載開關，含受控開啟

點選以瞭解詳情。

• 整合式單一負載開關
• 超小型 CSP-4 封裝 (0.9mm × 0.9mm)、間距 0.5mm
• 輸入電壓範圍：1.4 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • VIN = 5 V 時，r_ON = 60 mΩ
  • VIN = 3.3 V 時，r_ON = 61 mΩ
  • VIN = 1.8 V 時，r_ON = 74 mΩ
  • VIN = 1.5 V 時，r_ON = 84 mΩ
• 2 A 最大連續切換電流
• 低閾值控制輸入
• 多種受控迴轉率選項
• 欠壓鎖定
• 快速輸出放電電晶體
• 逆電流防護

TPS22912C

低輸入電壓、2 A 單通道負載開關含受控啟動

點選以瞭解詳情。

• 整合式單一負載開關
• 超小型 CSP-4 封裝 (0.9mm × 0.9mm)、間距 0.5mm
• 輸入電壓範圍：1.4 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • VIN = 5 V 時，r_ON = 60 mΩ
  • VIN = 3.3 V 時，r_ON = 61 mΩ
  • VIN = 1.8 V 時，r_ON = 74 mΩ
  • VIN = 1.5 V 時，r_ON = 84 mΩ
• 2 A 最大連續切換電流
• 低閾值控制輸入
• 多種受控迴轉率選項
• 欠壓鎖定
• 逆電流防護

TPS22910A

超小型、低 rON、2 A 單一通道負載開關，含受控開啟

點選以瞭解詳情。

• 整合式單一負載開關
• 超小型 CSP-4 封裝 (0.9mm × 0.9mm)、間距 0.5mm
• 輸入電壓範圍：1.4 V 至 5.5 V
• 低導通電阻
  • VIN = 5 V 時，r_ON = 60 mΩ
  • VIN = 3.3 V 時，r_ON = 61 mΩ
  • VIN = 1.8 V 時，r_ON = 74 mΩ
  • VIN = 1.5 V 時，r_ON = 84 mΩ
• 2 A 最大連續切換電流
• 低閾值控制輸入
• 多種受控迴轉率選項
• 欠壓鎖定
• 逆電流防護

I²C

由於電路會隨著連接眾多周邊裝置而更加複雜，因此需要有效的方法來精簡設計並降低成本。 I2C 匯流排可限制印刷電路板 (PCB) 佈線數量，並降低微處理器的通用輸入與輸出 (GPIO) 使用量，因此符合此要求。 Texas Instruments 的 I/O 擴充器、多工器、緩衝器以及中繼器有助於系統設計人員採用實證肯定的 I²C 元件有效進行子系統通訊和介接。 內部整合電路 (I²C) 匯流排係由兩個主動式線路組成：雙向序列數據 (SDA) 線路以及雙向序列時脈 (SCL) 線路。 TI 的 I²C 產品組合包含 TCA、PCA 和 PCF 技術。

TCA5405

低電壓 5 位元自行計時單線輸出擴充器

點選以瞭解詳情。

• 工作電源電壓範圍：1.65 V 至 3.6 V
• 五個獨立推挽輸出
• 單一輸入 (DIN) 可控制所有輸出的狀態
• 高電流驅動輸出能讓直接驅動 LED 發揮最大能力
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準

TCA6416A

低電壓 16 位元 I²C 與 SMBus I/O 擴充器

點選以瞭解詳情。

• 工作電源電壓範圍：1.65 V 至 5.5 V
• I²C 對平行連接埠擴充器
• 3 µA 低待機耗電量
• 史密特觸發器動作能在 SCL 和 SDA 輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性

PCA9306

雙通道雙向 I2C 匯流排與 SMBus 電壓位準轉換器

點選以瞭解詳情。

• 2 位元雙向轉換器適用於
  混合模式 I²C 應用的 SDA 與 SCL 線路
• 相容於 I²C 和 SMBus
• 最大傳播延遲小於 1.5 ns，可因應
  標準模式與快速模式 I²C 元件與多個主要元件
• 可在以下範圍內執行電壓位準轉換：
  • 1.2 V V_REF1 與 1.8 V、2.5 V、3.3 V
    或 5 V V_REF2
  • 1.8 V V_REF1 與 2.5 V、3.3 V 或 5 V V_REF2
  • 2.5 V V_REF1 與 3.3 V 或 5 V V_REF2
  • 3.3 V V_REF1 與 5 V V_REF2
• 無需方向引腳即可達到雙向電壓轉換
• 輸入與輸出連接埠間採用 3.5 Ω 低導通連接，
  能降低訊號失真
• 開汲極 I²C I/O 連接埠（SCL1、SDA1、SCL2 和 SDA2）
• 5 V 容差 I²C I/O 連接埠支援混合模式訊號操作
• 高阻抗 SCL1、SDA1、SCL2 和 SDA2 引腳，適用於 EN 低態
• EN 低態時無鎖定操作即可達到隔離
• 流通引腳配置可簡化印刷電路板佈線路徑
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

TCA6408A

低電壓 8 位元 I2C 與 SMBus I/O 擴充器

點選以瞭解詳情。

• 工作電源電壓範圍：
  1.65 V 至 5.5 V
• 允許以下連接埠之間達到雙向電壓位準轉換及
  GPIO 擴充：
  • 1.8 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、
    3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 2.5 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、
    3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 3.3 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、
    3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 5 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、
    3.3 V 或 5 V P 連接埠
• I²C 對平行連接埠擴充器
• 1 µA 低待機耗電量
• 史密特觸發器動作能在 SCL 和 SDA 輸入端
  達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性
  • 1.8 V 時，V_hys 典型值為 0.18 V
  • 2.5 V 時，V_hys 典型值為 0.25 V
  • 3.3 V 時，V_hys 典型值為 0.33 V
  • 5 V 時，V_hys 典型值為 0.5 V
• 5 V 容差 I/O 連接埠
• 低態動作重置 (RESET) 輸入
• 開汲極低態動作中斷 (INT) 輸出
• 400 kHz 快速 I²C 匯流排
• 輸入／輸出組態暫存器
• 極性反轉暫存器
• 內部開機重置

TCA6424A

低電壓 24 位元 I2C 與 SMBus I/O 擴充器

點選以瞭解詳情。

• 工作電源電壓範圍：1.65 V 至 5.5 V
• 允許以下連接埠之間達到雙向電壓位準轉換及 GPIO 擴充：
  • 1.8 V SCL/SDA 與
    1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 2.5 V SCL/SDA 與
    1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 3.3 V SCL/SDA 與
    1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 連接埠
  • 5 V SCL/SDA 與
    1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 連接埠
• I²C 對平行連接埠擴充器
• 1 µA 低待機耗電量
• 史密特觸發器動作能在 SCL 和 SDA 輸入端
  達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性
  • 1.8 V 時，V_hys 典型值為 0.18 V
  • 2.5 V 時，V_hys 典型值為 0.25 V
  • 3.3 V 時，V_hys 典型值為 0.33 V
  • 5 V 時，V_hys 典型值為 0.5 V
• 5 V 容差 I/O 連接埠
• 低態動作重置輸入 (RESET)
• 開汲極低態動作中斷輸出 (INT)
• 400 kHz 快速 I²C 匯流排
• 輸入／輸出組態暫存器
• 極性反轉暫存器
• 內部開機重置

TCA6507

低電壓 7 位元 I2C 和 SMBus LED 驅動器，含亮度控制和關斷

點選以瞭解詳情。

• 七個 LED 驅動器輸出：開、關、閃爍、衰減（可編程速率）
• 開汲極輸出可直接驅動 LED 至 40 mA（最大值）
• 可設為兩個獨立的 LED 驅動器排
• 寬廣的可編程閃爍率、衰減開啟與衰減關閉率以及最大亮度
• 使用脈寬調變 (PWM) 的 LED 亮度設定
• 未當作 LED 驅動器的輸出可當作一般用途開汲極輸出
• 從完全關閉至完全開啟狀態有 16 步進的最大亮度控制
• 在衰減開啟或衰減關閉期間提供 256 種亮度位準，能達到視覺順暢的轉換
• 工作電源電壓範圍：1.65 V 至 3.6 V
• 提供 EVM
• 史密特觸發器動作能在輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性
  • 1.8 V 時，V_hys 典型值為 0.18 V
  • 2.5 V 時，V_hys 典型值為 0.25 V
  • 3.3 V 時，V_hys 典型值為 0.33 V
• 5.5 V 容差開汲極輸出
• 具關斷功能的低待機電流，可額外節省電力
• 內部開機重置
• 內部振盪器無需外接元件
• 透過 I²C 匯流排介面邏輯進行編程，相容於 SMBus
• 400 kHz 快速 I²C 匯流排

TCA9555

具中斷輸出與組態暫存器的遠端 16 位元 I2C 與 SMBus I/O 擴充器

點選以瞭解詳情。

• 低待機耗電量，最大值為 3 µA
• I²C 對平行連接埠擴充器
• 開汲極低態動作中斷輸出
• 5 V 容差 I/O 連接埠
• 相容於絕大多數微控制器
• 400 kHz 快速 I²C 匯流排
• 透過三個硬體位址引腳進行定址，
  可供最多八個元件使用
• 極性反轉暫存器
• 閂鎖式輸出具有高電流驅動
  能力，可直接驅動 LED
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，
  符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

TCA7408

具中斷輸出重置 I/O 方向暫存器的低電壓 8 位元 I2C I/O 擴充器

點選以瞭解詳情。

• 工作電源電壓範圍：1.65 V 至 3.6 V
• 允許以下連接埠之間達到雙向電壓位準轉換及 GPIO 擴充：
  • 1.8 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 連接埠
  • 2.5 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 連接埠
  • 3.3 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 連接埠
  • 5 V SCL/SDA 與 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 連接埠
• 在 1.8 V 時的待機耗電量低於 2 µA
• 作用時耗電量：
  • 在 1.8 V 100 kHz 時脈下低於 2 µA
  • 在 1.8 V 400 kHz 時脈下低於 5 µA
• 100 kHz、400 kHz 快速模式
• 內部開機重置及監控設備計時器
• 自動防故障 I²C、INT 和 RESET 線路
• SCL/SDA 與輸入端具備雜訊濾波器
• 史密特觸發器動作能在 SCL 和 SDA 輸入端達到緩慢輸入轉換，以及更優異的切換雜訊耐受性
  • 1.8 V 時，V_hys 典型值為 0.18 V
  • 2.5 V 時，V_hys 典型值為 0.25 V
  • 3.3 V 時，V_hys 典型值為 0.33 V
• 低態動作重置 (RESET) 輸入
• 開汲極低態動作中斷 (INT) 輸出

TCA9509

位準轉換 I2C 匯流排中繼器

點選以瞭解詳情。

• 雙通道雙向緩衝器
• 相容於 I²C 匯流排與 SMBus
• B 側工作電源電壓範圍：
  2.7 V 至 5.5 V
• A 側工作電壓範圍：0.9 V 至 V_CCB – 1V
• 電壓位準轉換能將
  0.9 V 轉換至 (V_CCB - 1V)，以及 2.7 V 轉換至 5.5 V
• 高態動作中繼器致能輸入
• 低電壓連接埠 A 無需外接上拉電阻
• 開汲極 I²C I/O
• 5.5 V 容差 I²C 與致能輸入支援混合模式訊號作業
• 無鎖定操作
• 支援標準模式與快速模式 I²C 元件與多個主要元件
• 在中繼器內支援仲裁與時脈伸展
• 斷電高阻抗 I²C 匯流排引腳
• 支援 400 kHz 快速 I²C 匯流排操作速度
• 提供
  • 1.6 mm x 1.6 mm、高度 0.4 mm、間距 0.5 mm QFN 封裝
  • 3 mm x 3 mm 業界標準 MSOP 封裝
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)

轉換器

為了在相同電路板上針對不同的工作電源電壓位準進行混合、匹配並支援同步使用，因此需要電壓位準轉換。 電壓位準轉換器或位準移位器能針對相同電路板同時使用不同電源電壓的情況，解決其面臨的挑戰。 Texas Instruments 提供業界最豐富的位準轉換產品組合，符合您所有的位準移位器需求。

TXS4555

完整的 SIM 卡解決方案能介接無線基頻處理器

點選以瞭解詳情。

• 位準轉換器
  • V_CC 範圍介於 1.65 V 至 3.3 V
  • V_BATT 範圍介於 2.3 至 5.5 V
• 低壓降 (LDO) 穩壓器
  • 具有致能的 50 mA LDO 穩壓器
  • 可選擇 1.8 V 或 2.95 V 輸出電壓
  • 輸入電壓範圍介於 2.3 V 至 5.5 V
  • 超低壓降：50 mA 時最大值為 100 mV

TXS0102

適用於開汲極應用的 2 位元雙向電壓位準轉換器

點選以瞭解詳情。

• 無需方向控制訊號
• 最大數據傳輸率
  • 24 Mbps（推挽）
  • 2 Mbps（開汲極）
• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• A 連接埠為 1.65 V 至 3.6 V，B 連接埠為 2.3 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB)

TXB0104

具自動方向感測和 +/-15 kV ESD 防護的 4 位元雙向電壓位準轉換器

點選以瞭解詳情。

• A 連接埠為 1.2 V 至 3.6 V，
  B 連接埠為 1.65 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB)
• V_CC 隔離功能 – 若任一
  V_CC 輸入端為接地 (GND)，則所有輸出端皆會處於
  高阻抗狀態
• OE 輸入電路以 V_CCA 為參考
• 低功耗，I_CC 最大值為 5 µA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • A 連接埠
    • 2500 V 人體放電模式 (A114-B)
    • 1500 V 充電元件放電模式 (C101)
  • B 連接埠
    • ±15 kV 人體放電模式 (A114-B)
    • 1500 V 充電元件放電模式 (C101)

TXS0104E

適用於開汲極應用的 4 位元雙向電壓位準轉換器

點選以瞭解詳情。

• 無需方向控制訊號
• 最大數據傳輸率
  • 24 Mbps（推挽）
  • 2 Mbps（開汲極）
• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree 封裝
• A 連接埠為 1.65 V 至 3.6 V，B 連接埠為 2.3 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB)
• 無需電源定序 – V_CCA 或 V_CCB 可優先上升
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • A 連接埠 2000 V 人體放電模式 (A114-B) 200V 機械放電模式 (A115-A) 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
  • B 連接埠 15 kV 人體放電模式 (A114-B) 200 V 機械放電模式 (A115-A) 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD（B 連接埠）
  • ±8 kV（接觸放電）
  • ±10 kV（氣隙放電）

SN74LVC1T45

單位元雙電源匯流排收發器，具有可配置的電壓轉換和三態輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 具有完全可配置的雙軌設計，能讓每個連接埠在
  1.65 V 至 5.5 V 的完整電源範圍內操作
• V_CC 隔離功能 – 若任一 V_CC 輸入端為接地 (GND)，
  兩個連接埠都會處於高阻抗狀態
• DIR 輸入電路以 V_CCA 為參考
• 低功耗，I_CC 最大值為 4 µA
• 3.3 V 時，輸出驅動電流為 ±24 mA
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 最大數據傳輸率
  • 420 Mbps（3.3 V 至 5 V 轉換）
  • 210 Mbps（轉換至 3.3 V）
  • 140 Mbps（轉換至 2.5 V）
  • 75 Mbps（轉換至 1.8 V）
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 2000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AVC2T45

雙位元雙電源匯流排收發器，具有可配置的電壓轉換和三態輸出

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoFree™ 封裝
• 控制輸入 V_IH/V_IL 位準以 V_CCA 為參考
• 完全可配置的雙軌設計，能讓每個連接埠在 1.2 V 至 3.6 V 的完整電源範圍內操作
• I/O 容差為 4.6 V
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 最大數據傳輸率
  • 500 Mbps（1.8 V 至 3.3 V 轉換）
  • 320 Mbps（小於 1.8 V 至 3.3 V 轉換）
  • 320 Mbps（轉換至 2.5 V 或 1.8 V）
  • 280 Mbps（轉換至 1.5 V）
  • 240 Mbps（轉換至 1.2 V）
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 8000 V 人體放電模式 (A114-A)
  • 200 V 機械放電模式 (A115-A)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)

SN74AUP1T97

單電源電壓轉換器

點選以瞭解詳情。

• 採用 Texas Instruments 的 NanoStar™ 封裝
• 單電源電壓轉換器
• 1.8 V 至 3.3 V（V_CC = 3.3 V 時）
• 2.5 V 至 3.3 V（V_CC = 3.3 V 時）
• 1.8 V 至 2.5 V（V_CC = 2.5 V 時）
• 3.3 V 至 2.5 V（V_CC = 2.5 V 時）
• 九個可配置的閘極邏輯功能
• 史密特觸發器輸入可拒斥輸入雜訊，
  提供更優異的輸出訊號完整性
• I_off 支援部份斷電模式
  具有低漏電流 (0.5 µA)
• 超低靜態與動態耗電量
• 提供無鉛封裝：SON（DRY 或 DSF）、
  SOT-23 (DBV)、SC-70 (DCK) 和 NanoStar WCSP
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 通過 JESD 22 的 ESD 效能測試
  • 2000 V 人體放電模式
    （A114-B、Class II）
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)
• 相關元件：SN74AUP1T98、SN74AUP1T57 及 SN74AUP1T58

TXB0304

具備 0.9 V 至 3.6 V 完整對稱範圍的 4 位元雙向自動方向感測轉換器

點選以瞭解詳情。

• 完整對稱電源電壓。 A 連接埠為 0.9 V 至 3.6 V，B 連接埠為 0.9 V 至 3.6 V
• V_CC 隔離功能 – 若任一 V_CC 輸入端為接地 (GND)，
  所有輸出端皆會處於高阻抗狀態
• OE 輸入電路以 V_CCA 為參考
• 低功耗，最大值為 5 µA（I_CCA 或 I_CCB）
• I_off 支援部份斷電模式操作
• 閂鎖效應效能超過 100 mA，符合 JESD 78 Class II 標準
• 超越 JESD 22 的 ESD 防護效果
  • 8000 V 人體放電模式 (A114-B)
  • 1000 V 充電元件放電模式 (C101)