低電壓 (30 V) STripFET™ H7 系列功率 MOSFET

STMicroelectronics 推出低電壓 STripFET H7 系列功率 MOSFET,具有極低導通電阻和超低電容量

STMicroelectronics 的低電壓 (30 V) STripFET™ H7 系列功率 MOSFET 影像STMicroelectronics 的 STripFET H7 系列是溝槽式閘極、低電壓 (30 V) MOSFET,經過最佳化,適用於高密度、高效能電源管理系統,結合極低導通電阻和超低電容量,具有經過最佳化的內建肖特基二極體,能在電信、主機板、太陽能逆變器等應用中,達到更高切換頻率的操作。 STripFET H7 系列相較於前代 H5 和 H6 系列,每晶片區域具有更低的導通電阻,因此能透過減少平行元件的數量,簡化設計人員對高功率設計的需求。

特點

  • 極低導通電阻
  • 極低 Qg
  • 高突崩耐用度

FETs-Single

圖片製造商零件編號說明現有數量價格
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發佈日期: 2015-06-26