RNAN 薄膜晶片電阻

Stackpole 薄膜電阻因其精密度、穩定性、高效能而備受青睞，但傳統上其功率額定值較低。這項限制使得薄膜技術難以應用於更高功率的設計中，因為這些設計仍然需要嚴格容差與長期準確度。利用導熱係數大幅提升的氮化鋁基板，可在不犧牲薄膜鎳鉻電阻原有精密度的前提下，實現顯著更高的功率處理能力。

RNAN 系列利用先進的基板技術，提供高功率、高可靠性的薄膜晶片電阻。此系列提供卓越的功率密度，額定值分別為：0603 封裝最高 0.5 W、0805 封裝 1 W、1206 封裝 2 W、2512 封裝 6 W。這些功率等級在維持熱點與端子溫度可接受的前提下得以實現，而這在傳統氧化鋁高功率晶片電阻中難以達成。