ROHM Semiconductor

BV1HB045EFJ-C 高側開關

ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 車用 IPD 系列高側開關具有內建電流感測功能的單通道高側開關

ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 高側開關的圖片ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 車用單通道高側開關具備內建的低功率輸出關閉、開路偵測、熱關斷保護、過流限制功能。它能夠測量輸出負載電流。

特點
  • 內建均流功能
  • 內建雙 TSD (註：內建兩種溫度保護：接面溫度和 ΔTj 保護，可偵測功率 MOS 的突發溫度上升)
  • 符合 AEC-Q100 標準 (註：Grade 1)
  • 內建過流保護 (OCP) 功能
  • 內建熱關斷 (TSD) 保護功能
  • 內建開路負載偵測功能
  • 內建低電壓輸出關閉 (UVLO) 功能
  • 內建診斷輸出
  • 低導通電阻單 N 通道 MOSFET 開關
  • 單晶片電源管理 IC，控制單元 (CMOS) 和功率 MOSFET 安裝在單一晶片上
重要規格
  • 電源供應器工作範圍 6 V 至 28 V
  • 導通電阻 (Tj = +25°C) 45 mΩ (典型值)
  • 過流限制 21.0 A (最小值)
  • 待機電流 (Tj = +25°C) 0.5 µA (最大值)
  • 主動箝位容差 (Tj = +25°C) 130 mJ
應用
  • 電阻負載、電感負載、電容負載
發佈日期： 2024-09-23

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