Renesas Electronics Corporation

RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N 通道功率 MOSFET

Renesas 這款 N 通道 MOSFET 實現了導通電阻、Qg 特性、Qgd 和體積的降低

Renesas Electronics Corporation RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N 通道功率 MOSFET 的圖片Renesas RBA300N10EANS-3UA02 和 RBA300N10EHPF-5UA02 N 通道 MOSFET 專為大電流的切換應用而設計。這款產品採用最新名為 ANM3 的晶圓製程。與傳統的ANM2相比，ANM3 實現了降低 30% 的導通電阻、Qg 特性降低10% 以及 Qgd 降低 40%。與傳統 TO-263 相比，這款封裝體積減少了 50%，有助於縮小客戶設置。

應用
  • 馬達控制
  • 電池管理系統 (BMS)
  • 電源管理
  • 充電應用
特點
  • 導通電阻低，所以功率損耗低
  • 使用與競爭對手相同的封裝
  • 與競爭對手同等的散熱效能和低的突波

RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N-Channel Power MOSFETs

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發佈日期： 2024-12-19