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閘極驅動器搭配 SiC MOSFET

為 SiC MOSFET 選擇正確閘極驅動器的指南

電動車充電、儲能、不斷電系統 (UPS)、太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率等級推向數百 kW、甚至 MW。這些高功率應用採用半橋、全橋、三相拓撲，為逆變器和 BLDC 提供多達六次切換的工作週期。根據功率等級和切換速度，系統設計人員借力於各種切換技術，包括矽、IGBT、SiC，來滿足其應用需求。

在這些高功率應用中，雖然 IGBT 的熱效能優於矽解決方案，但 onsemi 的 EliteSiC 可以同時實現更高的切換速度和高功率。onsemi 提供完整的 SiC MOSFET 產品組合，崩潰電壓範圍為 650 V 至 1700 V，R_DSON 低至 12 mΩ。但是，每個 SiC MOSFET 都需要正確的閘極驅動器，才能最大化系統效率、最小化總功率損耗。下面這張容易使用的表格已將正確的閘極驅動器與每個 SiC MOSFET 配對。

EliteSiC MOSFET			閘極驅動器：5 kV_RMS 電流隔離
EliteSiC MOSFET			1 通道 (源極／汲極)		2 通道 (源極／汲極／匹配)
V_(BR)DSS	R_DSON (典型值)	封裝	6.5 A / 6.5 A	4 A / 6 A	6.5 A / 6.5 A / 20 ns	4.5 A / 9 A / 5 ns
650 V	12 mΩ – 95 mΩ	3-LD、4-LD、7-LD、TOLL、PQFN88	¹²³NCD5709x ¹²³NCV5709x 32 V 輸出擺幅 (SOIC-8)	¹²³NCD5700x ¹²³NCV5700x 25 V 輸出擺幅 (SOIC-16WB)	NCD575xx NCV575xx 32 V 輸出擺幅 (SOIC-16WB)	¹NCP5156x ¹NCV5156x 30 V 輸出擺幅 (SOIC-16WB)
750 V	13.5 mΩ	4-LD	¹²³NCD5709x ¹²³NCV5709x 32 V 輸出擺幅 (SOIC-8)
900 V	16 mΩ – 60 mΩ	3-LD、4-LD、7-LD	-
1200 V	14 mΩ – 160 mΩ	3-LD、4-LD、7-LD	-
1700 V	28 mΩ - 960 mΩ	4-LD, 7-LD	-	-	-	-
閘極驅動器：峰值流出電流／峰值流入電流／總傳播延遲匹配 ¹ 支援：外部負偏壓關閉 ² 支援：去飽和 (過流) 保護 ³ 支援：主動式米勒箝位保護 (箝位 V_GS，防止在預計關閉期間意外開啟。) 「V」支援汽車標準