適用於 UPS 的高電壓功率 MOSFET CoolMOS™ P6

Infineon 豐富的產品組合完整支援 UPS 方案的市場需求變化，如模組化（基於高功率磚型單元導致的數據流量增加，即雲端數據，以及拓撲從二級轉變成三級）。此拓撲轉變大多出現在中／高功率 UPS，源於其爭相競奪更高效率與效能的成效。UPS 方案在成本導向市場（如小型／家庭辦公室）中，使用小於 10 kVA 的低功率等級 UPS 應用。但若要滿足工業和伺服器需求，UPS 方案則需使用 20 kVA 起跳的更高功率等級。

Infineon 的系統方案

  • 工業／伺服器市場應用的最佳化效能方案：CoolMOS™ P6/C7
  • 小型／家庭辦公室應用的最佳化價格方案：TRENCHSTOP™ 5

Infineon 方案優勢：

  • 更高效率，因此能降低成本，並減少被動元件使用量
  • 完整的系統層級措施
  • 同級最佳的生命週期支援 (OEM)
  • Infineon 產品組合的靈活性
  • IFX 屬於「Plattform Industrie 4.0」成員，擁有超先進的 FE 廠房

Infineon 針對以下應用提供 UPS 方案產品：

  • 成本導向的小型／家庭辦公室市場，需要低功率等級 UPS 方案：小於 10 kVA
  • 模組化導向的工業和伺服器市場，需要 20 kVA 功率等級起跳的 UPS 方案

Infineon 的 UPS 方案（小於 10 kVA 至 20 kVA）

Infineon 的 UPS 方案

轉換級的功率 MOSFET 需求

  • 低導通電阻
  • 良好的切換效能
  • 耐用性（硬換向）

匹配的功率 MOSFET

  • CoolMOS™ P6
    CoolMOS™ P6 是最佳化性價比的超級接面 MOSFET，能將所有參數發揮到極致，同時容易設計導入。
  • CoolMOS™ C7
    CoolMOS™ C7 是追求最高效率的理想選擇，能為您帶來全球最低的每封裝 RDS(on)。
  • 創新封裝
    TO-247 四引腳封裝能讓 CoolMOS™ C7 更具優勢，能降低功率 MOSFET 來源引線的寄生電感。
CoolMOS™ P6 CoolMOS™C7
RDS(on) 為 41 mOhm RDS(on) 為 45 mOhm
IPW60R041P6FKSA1 IPW65R045C7
  IPZ65R045C7

三階逆變器類型

三階逆變器
箭頭圖示   箭頭圖示   箭頭圖示
最佳化價格   最佳性價比   最佳化效能
  • TRENCHSTOP™ 離散 IGBT (600/650 V)
  • thinQ!™ SiC 二極體
  
  • 600 V CoolMOS™ P6
  • thinQ!™ SiC 二極體
  
  • 600 V CoolMOS™ C7
  • thinQ!™ SiC 二極體

通用電源供應器 B6 橋式
  最佳化價格  
  • 6 個TRENCHSTOP™ 離散 IGBT（600 V/ 650 V 和／或 1200 V），採用 B6 橋式配置
級 IFX 元件 產品 項目
ESD 系列 TVS 二極體 查看產品組合
XMC 4000 系列 微控制器 查看產品組合
650 V TRENCHSTOP™ 5 單一 IGBT
IGBT DuoPack		 查看產品組合
或
600 V CoolMOS™ P6 高電壓 MOSFET IPW60R041P6FKSA1
或
650 V CoolMOS™ C7 高電壓 MOSFET IPW65R045C7
IPZ65R045C7
 
600 V / 1200 V TRENCHSTOP™ 2 IGBT 查看產品組合
600 V / 1200 V EiceDRIVER™ 閘極驅動器 查看產品組合
650 V thinQ!™ 第 5 代 SiC 二極體 查看產品組合
  Rapid 1 和 Rapid 2 二極體 SiC 功率二極體 查看產品組合
  DC/DC 轉換器 DC/DC 轉換器 IFX91041
工業穩壓器 工業穩壓器 查看產品組合
OptiMOS™ 40 V 至 80 V 低電壓功率 MOSFET 查看產品組合
StrongIRFET™ 40 V 至 75 V 查看產品組合
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